[实用新型]一种CTP设备多通道光路开关调节电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及多通道光路开关调节电路，属于CTP设备技术领域。

背景技术

CTP设备的工作效率取决于转鼓转速和光通道数，转鼓转速越高，则需要的激光通道的开关频率越高，光通道数越多，则需要的驱动电路越多，光能量的一致性越差。中国专利“激光控制开关电路”(专利申请号：201110259917.X)公开了一种激光控制开关电路，实现普通激光笔照射感受器一次后开关闭合，再照射一次后开关断开，主要由电池组V，启动开关S，MOSFET开关管，MOSFET驱动电路，电阻R1，电容C1、C2，磁保持继电器K1，连接器J1组成，其中MOSFET 驱动电路由两组光电池V1、V2，一个纽扣电池V3，电阻R2组成。实现激光照射V1一段时间后，连接器1、2脚导通；在照射一段时间后，连接器1、3脚导通。在不同光照强度下运行可靠稳定，只需要普通激光笔即可远程控制无数量上限的开关通断，同时该电路涉及的电子元器件数量较少，性能成熟稳定，可以保证长期无故障使用。然而，上述专利不能同时控制多个激光通道，无法满足 CTP设备的工作需要，并且该电路无法实现光能量的调节，光能量的一致性较差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种基于CTP设备光通道的开关驱动以及光能量调节的驱动电路，能够满足打印时每个通道的光路的高速开关驱动以及基于每个通道光能量一致性的调节。

为了达到目的，本实用新型提供的技术方案为：

本实用新型涉及的一种CTP设备多通道光路开关调节电路，其特征在于：其包括开关信号输入端、调节信号输入端、通道开关控制电路、光能调节电路和光通道控制脚，所述的光能调节电路包括由电阻器R1和电容器C1构成的低通滤波电路、三极管Q2、电阻R2和去耦电容C2，电阻器R1一端连接调节信号输入端，另一端与电容器C1一端以及三极管Q2的B极连接，电容器C1的另一端、三极管Q2的C极、去耦电容C2的一端相互连接并接地，去耦电容C2 另一端与电阻R2一端、三极管Q2的E极连接，电阻R2的另一端与外接电源连接；所述的通道开关控制电路包括P沟道MOS管Q1和二极管D1，P沟道MOS管Q1的G门与二极管D1的一端连接，并与开关信号输入端连接，二极管 D1的另一端与P沟道MOS管Q1的S极连接，P沟道MOS管Q1的D门与三极管Q2的E极连接，P沟道MOS管Q1的S极还与光通道控制脚连接。

采用本实用新型提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：

本实用新型能够满足CTP设备高速打印的需求，并且通过光能调节电路每一个通道设置单独的放电电压，使多个光通道在打印时保持光能的一致性。

附图说明

图1是本实用新型CTP设备多通道光路开关调节电路的结构示意图。

具体实施方式

为进一步了解本实用新型的内容，结合实施例对本实用新型作详细描述，以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

结合附图1所示，本实用新型涉及CTP设备多通道光路开关调节电路包括开关信号输入端1、调节信号输入端2、通道开关控制电路、光能调节电路和光通道控制脚5。光能调节电路包括由电阻器R1和电容器C1构成的低通滤波电路、三极管Q2、电阻R2和去耦电容C2，电阻器R1一端连接调节信号输入端，另一端与电容器C1一端以及三极管Q2的B极连接，电容器C1的另一端、三极管Q2的C极、去耦电容C2的一端相互连接并接地，去耦电容C2另一端与电阻R2一端、三极管Q2的E极连接，电阻R2的另一端与外接电源连接；所述的通道开关控制电路包括P沟道MOS管Q1和二极管D1，P沟道MOS管Q1 的G门与二极管D1的一端连接，并与开关信号输入端连接，二极管D1的另一端与P沟道MOS管Q1的S极连接，P沟道MOS管Q1的D门与三极管Q2的 E极连接，P沟道MOS管Q1的S极还与光通道控制脚连接。

开关信号输入端1的信号直接连接到Q1的G极，并且通过二极管D1后连接到Q1的S极，S极电压Vout输出到光通道控制脚5，当开关控制信号为高电平V1时，Q1的G极和S极同时为V1电平，此时Q1处于截止状态，Vout＝V1，光通道关闭；当通道控制信号由高电平V1切换为低电平0伏时，Q1的G极变为0伏，而基于二极管的单向导通性，Vout仍然为高电平V1，此时Q1处于打开导通状态，S极电压Vout通过导通的Q1放电到Q1的D极，而D极的电压 V2由光能调节电路4生成。设计中，V1>V2，Vout通过放电，电压逐渐下降，则当Vout＝V2时，停止放电，Vout维持在V2电压上，光通道打开。