[实用新型]一种阵列基板和显示装置有效
| 申请号: | 201720182661.X | 申请日: | 2017-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN206711894U | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
| 发明(设计)人: | 丁远奎;袁广才;刘广辉;赵策 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 柴亮,张天舒 |
| 地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
液晶显示产品,或柔性OLED显示产品均会用到薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)驱动显示。如图1所示,液晶显示产品在长期使用中或柔性显示产品在弯曲时,阵列基板中与薄膜晶体管连接的栅线12或数据线13在沿虚线处容易断裂,这种断裂可能导致信号的电压无法正常传输,致使断裂处的像素单元无法正常工作,从而导致显示不良。当栅线12或数据线13断裂后,现有技术中一般采用CVD在该像素表层制备一条钼金属线,通过钼金属线将断裂部位连接来进行修复。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:现有技术中修复信号线断裂的方法可能会对接近表层的源漏线或像素电容区域造成电学上的干扰,从而影响周边像素的正常功能。
实用新型内容
本实用新型针对现有的修复信号线断裂的方法可能会对接近表层的源漏线或像素电容区域造成电学上的干扰的问题,提供一种阵列基板和显示装置。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是:
一种阵列基板,包括薄膜晶体管,用于向所述薄膜晶体管施加信号的信号线,以及用于在所述信号线出现断裂处时修复信号线的备用线;其中,所述备用线靠近所述信号线设置,所述备用线由导电材料构成,所述信号线与所述备用线之间设有第一绝缘 层。
优选的是,所述第一绝缘层覆盖所述信号线,相邻的两条信号线之间的所述第一绝缘层内或所述第一绝缘层上形成凹槽,所述备用线设于所述凹槽内。
优选的是,所述信号线为栅线,所述薄膜晶体管包括与所述栅线同层设置的栅极和栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设于所述第一绝缘层远离所述的栅线的一面上。
优选的是,所述栅极绝缘层远离所述栅极的一面上方设有源漏极,所述第一绝缘层的厚度均一,所述备用线充满所述栅极绝缘层下方的凹槽。
优选的是,所述备用线与所述信号线平行设置。
优选的是,所述备用线由金属构成。
本实用新型还提供一种阵列基板,包括薄膜晶体管,用于向所述薄膜晶体管施加信号的信号线,以及靠近所述信号线设置的备用线,所述信号线与所述备用线之间设有第一绝缘层;其中,所述信号线具有断裂处,在所述断裂处,所述信号线可通过所述备用线导通。
优选的是,所述备用线与所述信号线平行设置,在所述断裂处的两侧,所述信号线具有第一焊接点和第二焊接点;在靠近第一焊接点的位置所述备用线设有第一连接点,在靠近第二焊接点的位置所述备用线设有第二连接点;所述第一焊接点与所述第一连接点通过穿透第一绝缘层的钼粉连接,所述第二焊接点与所述第二连接点通过穿透第一绝缘层的钼粉连接。
优选的是,所述信号线具有多个断裂处,相邻的两个断裂处分别为第一断裂处、第二断裂处,所述第一断裂处的第一连接点与所述第二断裂处的第二连接点相邻,所述第一断裂处的第一连接点与所述第二断裂处的第二连接点之间具有断面。
本实用新型还提供一种显示装置,包括上述的阵列基板。
本实用新型的阵列基板中在信号线附近设有该信号线的备用 线,其中,信号线与备用线之间由第一绝缘层隔开,当任意位置的信号线发生断裂时,只需要将信号线与备用线之间的第一绝缘层击穿,再将信号线与备用线焊接起来,即可搭桥修复。本实用新型的修复信号线断裂的方式不会对表层的源漏线或像素电容区域造成电学上的干扰,不会影响周边像素的正常功能。本实用新型的阵列基板适用于各种显示装置。
附图说明
图1为现有的阵列基板的结构示意图;
图2、图3为本实用新型的实施例1的阵列基板的结构示意图;
图4-6为本实用新型的实施例2的阵列基板的结构示意图;
图7-8为本实用新型的实施例3的阵列基板的结构示意图;
其中,附图标记为:1、信号线;11、断裂处;111、第一断裂处;112、第二断裂处;12、栅线;13、数据线;2、备用线;3、第一绝缘层;31、凹槽;4、栅极绝缘层;10、衬底。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
实施例1:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





