[实用新型]一种移动电源的QC3.0快充充电电路有效
申请号: | 201720172000.9 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN206452162U | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 王新明 | 申请(专利权)人: | 深圳派立通科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)44248 | 代理人: | 胡玉 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道山厦社区杉坑工业区杉*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 移动 电源 qc3 充充电 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及电源充电领域,尤其涉及一种移动电源的QC3.0快充充电电路。
背景技术
随着智能手机和智能设备的飞速发展,基本手机人们都离不开手机,电池电很快用完。手机、I-Pad、I-Pod、笔记本、智能设备都越来越多,每个人在电池使用完电后充电又非常非常的慢。
基于USB口通过的电流有限的原因,手机方案公司高通采取了电流保持不变而提升电压的来增大充电的输入功率,最终来提升充电速度。目前QC3.0的输出功率最低是18W,是普通的充电器5V1A的充电速度的4倍,在充电这方面是一种革命性的变革。
现市场上面的手机是各种各样,有的支持QC3.0快充有的不支持,只有支持QC3.0的用电器才开始升压(9--12V);不支持QC3.0的用电器,不能升压(5V),否则会损坏不支持QC3.0的用电电器。此外,在给支持QC3.0的用电器充电时,拔出接口的那一瞬间,高压(9V--12V)必须瞬间降低到5V,时间≤200mS。否则拔出后立即插到其他不支持QC3.0用电器会存在烧毁其他用电器的可能性。再者,升压IC必须有足够的输出功率,否则发热很厉害,严重影响到了效率和输出功率,更严重的温度过高对移动电源的电芯造成很大的安全隐患。现有市场上的移动电源比较混乱,不能同时满足上述的要求,并且有些也无法识别哪些支持QC3.0快充,哪些不支持,从而使用时存在很大的风险。
实用新型内容
为解决现有技术中的问题,本实用新型提供一种移动电源的QC3.0快充充电电路。
本实用新型包括MCU控制模块、与MCU控制模块相连的输入充电模块、与输入充电模块输出端相连的普通升压模块和QC3.0升压模块、与普通升压模块输出端相连的普通USB输出模块、与QC3.0升压模块输出端相连的QC3.0USB输出模块、与QC3.0USB输出模块的输出端相连的QC3.0识别模块,所述QC3.0识别模块输出端与QC3.0升压模块输入端相连,用于控制所述QC3.0升压模块的输出电压。
本实用新型作进一步改进,还包括保护移动电源电芯的电芯保护模块。
本实用新型作进一步改进,所述电芯保护模块采用电芯保护芯片DW01和外挂的MOS对管Q1、Q2、Q3,所述电芯保护芯片DW01检测到相应电压及MOS对管Q1/Q2/Q3内阻电流,而控制MOS对管Q1/Q2/Q3的开关。
本实用新型作进一步改进,所述MCU控制模块包括主控芯片U1、用于显示电量的显示单元及用于控制移动电源的开关SW1,所述显示单元和开关SW1分别与主控芯片U1相连。
本实用新型作进一步改进,所述显示单元为数码管D1。
本实用新型作进一步改进,所述输入充电模块包括充电接口J1、MOS管Q5和升压芯片U4、电感L2,所述充电接口J1经过MOS管Q5与升压芯片U4的第6脚相连,经过升压芯片U4和升压芯片U4内置MOS管与外围电感L2形成开关震荡降压电路,输出4.2V给电芯充电。
本实用新型作进一步改进,所述普通升压模块包括升压芯片U4、电感L2,所述电芯经过电感L2和升压芯片U4升压后,通过升压芯片U4第8和14引脚输出5V电压,然后通过普通USB输出模块的接口J2输出。
本实用新型作进一步改进,所述QC3.0升压模块包括电感L1和与电感L1相连的升压芯片U5,所述QC3.0升压模块输出的电压由与其相连的QC3.0识别模块决定。
本实用新型作进一步改进,所述QC3.0识别模块包括协议握手芯片U3,所述协议握手芯片U3的第5引脚和第6引脚接收到与移动电源相连的需充电的电器的信号,控制第4引脚FB输出相应的控制信号到QC3.0升压模块的升压芯片U4的第17引脚FB,从而控制所述QC3.0升压模块输出5V-12V电压。
本实用新型作进一步改进,所述QC3.0USB输出模块包括MOS对管Q6、电阻R27、电阻R26、电阻R32、电容C23和接口J3,所述接口J3的第1引脚与升压芯片U5的电压输出引脚相连,所述接口J3的第2引脚接协议握手芯片U3的第5引脚,所述接口J3的第3引脚接协议握手芯片U3的第6引脚,所述接口J3的第4引脚与MOS对管Q6的两个漏极相连,所述MOS对管Q6的栅极与升压芯片U5的第2引脚相连,所述MOS对管Q6的源极与分别与电阻R27、电阻R26、电阻R32的一端相连,所述电阻R27、电阻R26的另一端接地,所述电阻R32的另一端通过电阻C23接地。
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