[实用新型]一种卡点位置优化的石墨舟有效
申请号: | 201720163541.5 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN206505900U | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 方结彬;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;C23C16/458 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司44104 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 528137 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 位置 优化 石墨 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种石墨舟,尤其涉及一种卡点位置优化的石墨舟。
背景技术
太阳能电池的制造需要经过制绒、扩散、刻蚀、镀膜、丝网印刷和烧结这六大工序。其中,镀膜工序是采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片正面镀氮化硅膜,以减少太阳光反射以及对硅片表面起钝化作用。硅片进行其表面镀膜工序时,需要将未镀膜的硅片插入PECVD真空镀膜设备的载片器上,目前,载片器通常采用石墨舟,一般是操作人员将花篮中的硅片插入专门的石墨舟或者通过自动上下料机将硅片插入专门的石墨舟,具体操作过程是:将硅片插入石墨舟并通过固定卡点定位于其上,然后,将载有硅片的石墨舟放置在PECVD真空镀膜设备中,采用PECVD工艺对硅片进行镀膜。
现有的石墨舟一般采用3个固定卡点卡住硅片的三条边,将硅片固定住。但是,两个卡点对应位于硅片的一个角附近,另外一个卡点对应位于硅片的另外一条边的中心点附近。在镀膜过程中,由于卡点分布不均匀导致硅片镀膜不均匀,形成色差,同时降低电池的光电转换效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能够提高电池外观良品率、提高光电转换效率的卡点位置优化的石墨舟,可避免传统镀膜石墨舟产生的硅片镀膜不均。
本实用新型的目的通过以下的技术措施来实现:一种卡点位置优化的石墨舟,其特征在于:它主要由绝缘棒和在水平方向上排列的数个单元舟片组成,所述单元舟片为竖直设置的片状体,相邻的单元舟片之间具有间隙,所述绝缘棒于各单元舟片的周缘贯穿而将全部的单元舟片连接固定在一起,位于两外侧的单元舟片的内外表面上设有若干与硅片形状相同且其尺寸小于硅片尺寸的凹槽,位于每个外侧单元舟片内外表面上的凹槽相对应,位于中间的单元舟片上设有若干与硅片形状相同且其尺寸小于硅片尺寸的通孔,在所述凹槽和通孔的周边区域中设有用于固定硅片的卡点,所述凹槽和通孔的口缘形状为正方形四个边角圆弧过渡的形状,主要由顶边、底边和两条侧边组成,所述卡点为3个且位于凹槽和通孔的周边区域中并分别靠近底边和两条侧边的中心位置。
本实用新型不同于传统镀膜石墨舟卡点的不对称分布结构,该石墨舟的卡点对应均匀分布在凹槽和通孔的三条边的中心位置,可以增加硅片的导电均匀性,从而改善镀膜均匀性,提升太阳能电池的外观合格率和光电转换效率。另外,本实用新型由在水平方向上排布的若干个单元舟片组成,在单元舟片上设有呈阵列排布的若干个凹槽和通孔,可以根据镀膜工艺的实际情况和需要,调整待镀膜硅片在单元舟片上的阵列分布,从而提高硅片镀膜的均匀性。
作为本实用新型的一种实施方式,在凹槽的槽底面上设有贯通该对应凹槽的用于抽真空的细孔。
作为本实用新型的一种实施方式,所述单元舟片的数量为2~50,相邻单元舟片之间的间距为5~50mm。
作为本实用新型的一种实施方式,所述单元舟片上的凹槽和通孔均呈阵列均匀分布,阵列的形状为正方形、长方形、圆形或六边形。
作为本实用新型的一种实施方式,每个单元舟片上的凹槽和通孔的数量分别为5~20,相邻凹槽之间、相邻通孔之间的距离为5~300mm。
作为本实用新型的一种实施方式,所述单元舟片上凹槽和通孔的边长L分别为80~200mm。
作为本实用新型的一种改进,所述卡点主要由用于安装在单元舟片安装孔中的圆柱形安装部、一对卡块和安装轴组成,所述安装轴连接安装部和卡块,在安装部和卡块之间形成用于卡合硅片的卡口,所述卡块为中空的三角形块状体或中空的圆柱形块状体,从而不遮挡硅片表面相对应的区域以便镀膜均匀。可以减小硅片卡点处的遮挡面积,改善镀膜均匀性。
本实用新型所述卡点的总厚度为2~6mm;所述卡点的横截面的最大长度为2~8mm;卡点的中空部分在硅片上的正投影区域的长度为1~7mm。
作为本实用新型的一种实施方式,所述绝缘棒采用陶瓷棒,也可以采用其它绝缘材料制成。
与现有技术相比,本实用新型具有以下显著的优点:
⑴本实用新型不同于传统镀膜石墨舟卡点的不对称分布结构,该石墨舟的卡点对应均匀分布在凹槽和通孔的三条边的中心位置,可以增加硅片的导电均匀性,从而改善镀膜均匀性,提升太阳能电池的外观合格率和光电转换效率。
⑵本实用新型卡点是圆柱体和中空的三角形块状体或中空的圆柱形块状体的组合结构,可以减小硅片卡点处的遮挡面积,改善镀膜均匀性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造