[实用新型]功率驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电机技术领域，特别涉及一种功率驱动电路。

背景技术

随着磁性材料、电力电子器件和数字处理器技术的不断进步，电机也得到了迅猛发展，电机是国民生产和人们日常生活中的重要动力来源，有着举足轻重的地位，电机通常都需要设置驱动电路，以完成电机的启动。

现有技术当中，目前使用的电机驱动电路，通常采用绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)或智能功率模块(Intelligent Power Module，简称IPM)来作为功率器件，如电动汽车的电机驱动系统，而IGBT和IPM的成本非常高，无形中会增大电机的设计成本，同时IGBT和IPM所需要的额定电压和额定电流值都非常高，从而使得IGBT和IPM所需要的驱动功率非常高，导致整个驱动电路的电能损坏非常高，不符合节能的设计理念。

实用新型内容

基于此，本实用新型的目的是提供一种成本低的功率驱动电路。

一种功率驱动电路，包括结构相同的上桥臂电路及下桥臂电路，所述上桥臂电路及所述下桥臂电路串行连接，且连接的中点为所述功率驱动电路的信号输出端，所述上桥臂电路和所述下桥臂电路均包括一PWM输入端及并联连接的多个MOS管，所述PWM输入端包括正、负极；

每个所述MOS管的栅极与对应的所述PWM输入端的正极电性连接，每个所述MOS管的源极与对应的所述PWM输入端的负极电性连接，所述上桥臂电路上的每个所述MOS管的漏极通过一连接电路与所述下桥臂电路上的所述PWM输入端的负极电性连接，所述下桥臂电路上的每个所述MOS管的漏极与所述上桥臂电路上的所述PWM输入端的负极电性连接。

上述功率驱动电路，由于采用所述MOS管作为功率器件，而MOS管的成本低，且远低于现有技术当中所提到的IGBT和IPM，从而使得所述功率驱动电路的具有成本低的优点，同时MOS管还具有开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点，能够降低所述功率驱动电路的设计难度及功率损耗，进一步地降低了所述功率驱动电路的设计成本。不仅如此，由于每个所述MOS管的栅极、源极对应与对应的正、负极连接，所述上桥臂电路上的每个所述MOS管的漏极通过所述连接电路与所述下桥臂电路上的负极连接，所述下桥臂电路上的每个所述MOS管的漏极与所述上桥臂电路的负极连接，使得每个所述MOS管的均流性好，承受大电流能力变强，其扩大功率使用并不存在很大的障碍，保证了功率电路的高可靠性。

进一步地，每个所述MOS管的栅极通过一限流电阻与对应的所述PWM输入端的正极电性连接。

进一步地，所述限流电阻的取值范围为5Ω～70Ω。

进一步地，所述上桥臂电路和所述下桥臂电路还分别包括至少一个滤波电容，每个所述滤波电容对应与一个所述限流电阻并联连接，且连接在对应的所述PWM输入端的正、负极之间，以构成一RC滤波电路。

进一步地，所述上桥臂电路和所述下桥臂电路上的所述MOS管的数量取值范围为7至12个。

进一步地，所述上桥臂电路和所述下桥臂电路桥臂还分别包括一TVS管，所述TVS管连接在对应的所述PWM输入端的正、负极之间。

进一步地，所述上桥臂电路和所述下桥臂电路桥臂还分别包括一分流电阻，每个所述分流电阻连接在对应的所述PWM输入端的正、负极之间。

进一步地，所述连接电路包括至少两个无感电容，所有的所述无感电容相互之间并列连接，每个所述无感电容的一端与所述上桥臂电路上的每个所述MOS管的漏极电性连接，另一端与所述下桥臂电路上的所述PWM输入端的负极电性连接。

进一步地，所述上桥臂电路上的每个所述MOS管的栅极相互电性连接后与对应的所述PWM输入端的正极电性连接，所述上桥臂电路上的每个所述MOS管的源极相互电性连接后与对应的所述PWM输入端的负极电性连接，所述上桥臂电路上的每个所述MOS管的漏极相互电性连接后与所述连接电路电性连接。

进一步地，所述下桥臂电路上的每个所述MOS管的栅极相互电性连接后与对应的所述PWM输入端的正极电性连接，所述下桥臂电路上的每个所述MOS管的源极相互电性连接后与对应的所述PWM输入端的负极电性连接，所述下桥臂电路上的每个所述MOS管的漏极相互电性连接后与所述上桥臂电路上的所述PWM输入端的负极电性连接。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例中的功率驱动电路的电路结构示意图。

图2为图1中I处的放大示意图。