[实用新型]背面局部掺杂的N型双面电池结构

权利要求书

1.一种背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：包括基体，基体为N型，基体正面为掺硼的发射极，发射极上沉积有第一钝化减反膜层，第一钝化减反膜层上设有正面电极，正面电极通过第一钝化减反膜与发射极形成欧姆接触；基体背面为磷掺杂的局部背场区域，基体背面沉积第二钝化减反膜层，第二钝化减反膜层上有局部背面电极，局部背面电极通过第二钝化减反膜与背场区域形成欧姆接触。

2.如权利要求1所述的背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：第一减反射钝化膜采用SiNx薄膜、SiO₂薄膜、TiO₂薄膜、Al₂O₃薄膜、SiOxNy薄膜中的一种或者多种叠层构成，厚度为50-90nm；第二钝化减反膜是SiNx薄膜、SiO₂薄膜、TiO₂薄膜、Al₂O₃薄膜、SiOxNy薄膜中的一种或者多种叠层构成，厚度为50-90nm。

3.如权利要求1-2任一项所述的背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面磷掺杂的局部背场区域采用连续直线或分离的线段、圆点、不规则图形，基体背面磷掺杂的局部背场区域占基体背面面积的比例为5%-30%。

4.如权利要求3所述的背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：磷掺杂的局部背场区域采用连续直线时，基体背面磷掺杂的局部背场区域的直线宽度为80微米-600微米；磷掺杂的局部背场区域采用圆点时，圆点直径为100微米-600微米，基体背面磷掺杂的局部背场区域的方阻为10-90ohm/sq。

5.如权利要求1所述的背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面磷掺杂的局部背场区域形成有局部背面电极，当磷掺杂的局部背场区域与局部背面电极均采用直线时，连接主栅将各个局部背面电极相互连接，连接主栅不与局部背场区域形成欧姆接触。

6.如权利要求5所述的背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：局部背面电极为宽度10-100μm的直线，连接主栅的宽度为0.5mm-1.5mm，连接主栅采用丝网印刷烧结、导电胶粘接或者金属线焊接而成。

7.如权利要求1所述的背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：背面磷掺杂的局部背场区域形成有局部背面电极，当局部背场区域为分离的形状时，连接细栅将各个局部背面电极相互连接，再汇流到连接主栅上，连接细栅与连接主栅均不与局部背场区域形成欧姆接触。

8.如权利要求7所述的背面局部掺杂的N型双面电池结构，其特征在于：局部背面电极采用线段或圆形，局部背面电极为线段时宽度为10-100μm，圆形时直径为30-100μm，连接细栅宽度为20μm-100μm，连接主栅的宽度为0.5mm-1.5mm；连接细栅和连接主栅分别采用丝网印刷烧结、导电胶粘接或者金属线焊接而成。