[实用新型]一种双面消影导电玻璃片有效
申请号: | 201720025193.5 | 申请日: | 2017-01-10 |
公开(公告)号: | CN206293449U | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 张明理 | 申请(专利权)人: | 中山市晶宇玻璃有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;B32B9/00;B32B9/04;B32B27/36 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 528400 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 导电 玻璃片 | ||
技术领域
本实用新型涉及导电玻璃技术领域,具体为一种双面消影导电玻璃片。
背景技术
普通玻璃是绝缘材料,通过在其表面镀上一层导电膜(ITO膜),即可使其具备导电性能。这就是导电玻璃。氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。
在玻璃基板上常采用酸刻电路。在制作过程中,容易蚀刻掉不应该刻蚀的部位,并且存在电路刻蚀的蚀痕影迹,影响其电磁屏蔽、静电保护功能。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种双面消影导电玻璃片,解决了传统导电玻璃存在电路刻蚀痕迹的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种双面消影导电玻璃片,包括玻璃基板,所述玻璃基板的上表面刻蚀有透明导电层,透明导电层上设置有触点电极和触点电路,所述触点电极之间通过触点电路连接,所述透明导电层的上表面设置有聚酯薄膜,并且聚酯薄膜的底面与透明导电层的上表面之间通过OC胶层粘接,所述聚酯薄膜层的上表面由下至上依次设置有二氧化硅膜、氮化硅膜、透明二氧化钛膜和ITO膜,所述玻璃基板底面的结构与其上表面的结构相同,所述玻璃基板的外侧包裹有塑料密封边框,塑料密封边框底部和顶部的内侧分别与玻璃基板上方和下方的ITO膜卡接。
优选的,所述塑料密封边框的内部设置有金属网,所述金属网与塑料密封边框内侧面和外侧面之间的距离相等。
优选的,所述塑料密封边框底部和顶部的内侧均热塑成型有软质胶条,所述软质胶条的内侧面与ITO膜的外表面压合。
优选的,所述氮化硅膜通过真空磁控镀设在二氧化硅膜的上表面。
优选的,所述二氧化硅膜的底面与聚酯薄膜的上表面粘结压合。
优选的,所述ITO膜和氮化硅膜镀设在透明二氧化钛膜上。
(三)有益效果
本实用新型提供了一种双面消影导电玻璃片。具备以下有益效果:
(1)、该双面消影导电玻璃片,在透明导电层的表面利用OC胶层粘贴压合聚酯薄膜,能够利用聚酯薄膜和OC胶层对触点电极之间的间隙进行填充,进而能够利用聚酯薄膜和OC胶层对导电玻璃内的电路刻蚀痕迹进行补充,保证了导电玻璃的电磁屏蔽和静电保护功能,二氧化硅膜、透明二氧化钛膜和氮化硅膜的配合能够ITO膜与聚酯薄膜的折射率一致,进而能够对透明导电层表面的触点电极及触点电极之间间隙的阴影进行消除。
(2)、该双面消影导电玻璃片,在玻璃基板的外侧设置塑料密封边框,能够利用塑料密封边框对玻璃基板的内部起到保护的作用,金属网的设置对塑料密封边框起到了加强的作用,增加了塑料密封边框的韧性和强度,软质胶条的设置增加了塑料密封边框与ITO膜之间的密封性,在玻璃基板的两侧均刻蚀透明导电层,从而能够在玻璃基板的两侧均布设电路,增加了玻璃基板的利用率。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型玻璃基板上表面结构分解图。
图中:1 OC胶层、2二氧化硅膜、3透明二氧化钛膜、4金属网、5软质胶条、6 ITO膜、7氮化硅膜、8聚酯薄膜、9透明导电层、10玻璃基板、11塑料密封边框、12触点电极、13触点电路。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的