[实用新型]一种刻蚀腔室

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种刻蚀腔室。

背景技术

基板的制备过程中，常采用等离子体刻蚀的方式来形成基板上的预定图案。等离子体刻蚀是利用高频电源和反应气体生成低温等离子体，其包含离子和自由基，该离子和自由基与待刻蚀基板上未被光刻胶覆盖的物质反应生成挥发性物质，从而达到刻蚀的效果。

其中，如图1(a)和图1(b)所示，刻蚀腔室包括顶部开口的腔体10、盖合在腔体10顶部的盖体20、以及设置在腔体10顶部的密封结构30，腔体10上设置有特气孔11。

现有技术中，特气孔11设置在密封结构30内侧，为了绕过特气孔11，密封结构30在特气孔11两侧位置处会有明显的拐角，使得拐角位置处的密封结构30会承受有较大的张力，导致密封结构出现破裂。在此基础上，刻蚀腔室内进行刻蚀工艺时，密封结构30与特气和等离子体接触，导致其老化速度加快，容易开裂，从而大大减少了密封结构30的使用寿命。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种刻蚀腔室，可延长刻蚀腔室的使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

提供一种刻蚀腔室，包括顶部开口的腔体、盖合在所述腔体顶部的盖体、以及设置在所述腔体顶部的密封结构，所述腔体的顶部设置有特气孔，所述特气孔设置在所述密封结构内侧，在设置有所述特气孔的一侧，所述密封结构为向远离所述特气孔一侧凸出的弧形形状。

优选的，在设置有所述特气孔的一侧，所述密封结构包括第一部分和第二部分；所述第一部分为弧形形状，与所述特气孔对应；所述第二部分为线形形状，分别设置在所述第一部分的两端且与所述第一部分的端点相切。

优选的，所述密封结构为密封圈。

进一步优选的，所述腔体的顶部设置有一圈凹槽，所述密封圈设置在所述凹槽内。

进一步优选的，沿所述腔体顶部到所述腔体底部的方向，所述密封圈的截面形状为圆形。

可选的，所述凹槽的深度为所述密封圈直径的2/3。

可选的，所述凹槽的深度为所述密封圈直径的1/2。

基于上述，优选的，所述腔体为顶部开口的中空型立方体。

本实用新型实施例提供一种刻蚀腔室，通过将密封结构在设置有特气孔的一侧的形状设置为向远离特气孔一侧突出的弧形，使得密封结构在特气孔两侧位置处没有明显的拐角，而是在沿远离腔体内部的方向，以逐渐收敛的方式绕过特气孔，使得密封结构无需承受内部表面张力，因此不易出现破裂，可延长密封结构的使用寿命，从而延长刻蚀腔室的使用寿命，降低更换次数，节约成本。

此外，在刻蚀腔室进行刻蚀工艺时，密封结构直接与特气和等离子体接触，而特气和等离子体对密封结构有腐蚀作用，在密封结构没有破裂的情况下，特气和等离子体对密封结构的腐蚀速度会减慢，可进一步延长密封结构的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1(a)为现有技术提供的一种刻蚀腔室的结构示意图；

图1(b)为现有技术提供的一种刻蚀腔室的俯视示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种刻蚀腔室的结构示意图一；

图3为本实用新型实施例提供的一种刻蚀腔室的结构示意图二；

图4为本实用新型实施例提供的一种刻蚀腔室的俯视示意图；

图5为本实用新型实施例提供的一种刻蚀腔室的结构示意图三。

附图标记：

10-腔体；12-凹槽；20-盖体；11-特气孔；31-第一部分；32-第二部分；30-密封结构。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。