[实用新型]一种刻蚀腔室有效
申请号: | 201720005596.3 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN206282821U | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 马志超;李淳东;李知勋;霍晓迪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 | ||
1.一种刻蚀腔室,包括顶部开口的腔体、盖合在所述腔体顶部的盖体、以及设置在所述腔体顶部的密封结构,所述腔体的顶部设置有特气孔,所述特气孔设置在所述密封结构内侧,其特征在于,在设置有所述特气孔的一侧,所述密封结构为向远离所述特气孔一侧凸出的弧形形状。
2.根据权利要求1所述的刻蚀腔室,其特征在于,在设置有所述特气孔的一侧,所述密封结构包括第一部分和第二部分;
所述第一部分为弧形形状,与所述特气孔对应;所述第二部分为线形形状,分别设置在所述第一部分的两端且与所述第一部分的端点相切。
3.根据权利要求1所述的刻蚀腔室,其特征在于,所述密封结构为密封圈。
4.根据权利要求3所述的刻蚀腔室,其特征在于,所述腔体的顶部设置有一圈凹槽,所述密封圈设置在所述凹槽内。
5.根据权利要求4所述的刻蚀腔室,其特征在于,沿所述腔体顶部到所述腔体底部的方向,所述密封圈的截面形状为圆形。
6.根据权利要求5所述的刻蚀腔室,其特征在于,所述凹槽的深度为所述密封圈直径的2/3。
7.根据权利要求5所述的刻蚀腔室,其特征在于,所述凹槽的深度为所述密封圈直径的1/2。
8.根据权利要求1-7任一项所述的刻蚀腔室,其特征在于,所述腔体为顶部开口的中空型立方体。
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