[实用新型]一种刻蚀腔室有效

专利信息
申请号: 201720005596.3 申请日: 2017-01-03
公开(公告)号: CN206282821U 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 马志超;李淳东;李知勋;霍晓迪 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 刻蚀
【权利要求书】:

1.一种刻蚀腔室,包括顶部开口的腔体、盖合在所述腔体顶部的盖体、以及设置在所述腔体顶部的密封结构,所述腔体的顶部设置有特气孔,所述特气孔设置在所述密封结构内侧,其特征在于,在设置有所述特气孔的一侧,所述密封结构为向远离所述特气孔一侧凸出的弧形形状。

2.根据权利要求1所述的刻蚀腔室,其特征在于,在设置有所述特气孔的一侧,所述密封结构包括第一部分和第二部分;

所述第一部分为弧形形状,与所述特气孔对应;所述第二部分为线形形状,分别设置在所述第一部分的两端且与所述第一部分的端点相切。

3.根据权利要求1所述的刻蚀腔室,其特征在于,所述密封结构为密封圈。

4.根据权利要求3所述的刻蚀腔室,其特征在于,所述腔体的顶部设置有一圈凹槽,所述密封圈设置在所述凹槽内。

5.根据权利要求4所述的刻蚀腔室,其特征在于,沿所述腔体顶部到所述腔体底部的方向,所述密封圈的截面形状为圆形。

6.根据权利要求5所述的刻蚀腔室,其特征在于,所述凹槽的深度为所述密封圈直径的2/3。

7.根据权利要求5所述的刻蚀腔室,其特征在于,所述凹槽的深度为所述密封圈直径的1/2。

8.根据权利要求1-7任一项所述的刻蚀腔室,其特征在于,所述腔体为顶部开口的中空型立方体。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720005596.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top