[发明专利]电能变换电路、IGBT电路及其关断电路及关断控制方法

权利要求书

1.IGBT关断电路的关断控制方法，所述IGBT关断电路包括依次连接的信号传输电路、门极推挽放大电路、门极驱动电路和IGBT，所述IGBT关断电路可形成第一放电电路和第二放电电路，所述第二放电电路的阻值大于所述第一放电电路的阻值，所述第一放电电路和第二放电电路用于供所述IGBT的门极放电，所述门极推挽放大电路包括开关管T1和T2，所述开关管为三极管或MOS管或BJT管，其特征在于包括如下控制步骤：

所述信号传输电路控制所述开关管T2开通、所述开关管T1关断，使所述IGBT的门极从所述第一放电电路进行放电以关断所述IGBT；

所述IGBT关断Td时间后，所述信号传输电路控制所述开关管T1开通Tr时间并同时关断所述开关管T2，使所述IGBT的门极从所述第二放电电路进行放电以降低所述IGBT的集电极和发射极之间的尖峰电压。

2.根据权利要求1所述的关断控制方法，其特征在于所述Tr时间和所述Td时间满足：使所述Tr时间内的Vge的波形的上升沿与Vce的波形的上升沿近似一致；所述Vce为集电极和发射极之间的尖峰电压，所述Vge为门极电压。

3.采用权利要求1或2所述关断控制方法的IGBT关断电路，其特征在于：包括依次连接的信号传输电路、门极推挽放大电路、门极驱动电路和IGBT；所述门极推挽放大电路包括开关管T1和T2，所述开关管为三极管或MOS管或BJT管；所述信号传输电路用于控制所述IGBT的门极的开通和关断；所述门极推挽放大电路用于提供电流驱动所述IGBT的门极；所述门极驱动电路用于匹配所述IGBT的门极参数以及对门极电压进行保护和控制；所述IGBT关断电路可形成第一放电电路和第二放电电路，所述第二放电电路的阻值大于所述第一放电电路的阻值，所述第一放电电路和第二放电电路用于供所述IGBT的门极放电。

4.根据权利要求3所述的IGBT关断电路，其特征在于：所述开关管为N型MOS管；所述门极驱动电路包括门极开通电阻Ron、门极关断电阻Roff和门极下拉电阻R1，所述门极开通电阻Ron的一端和所述门极关断电阻Roff的一端共同连接所述IGBT的门极，所述门极开通电阻Ron的另一端连接所述开关管T1的漏极，开关管T2的源极与所述门极下拉电阻R1的一端共同连接所述门极关断电阻Roff的另一端，所述开关管T2的漏极与所述门极下拉电阻R1的另一端共同接到IGBT关断电路的公共端；所述第一放电电路包括所述门极关断电阻Roff和所述开关管T2；所述第二放电电路包括所述门极关断电阻Roff和所述门极下拉电阻R1。

5.根据权利要求3所述的IGBT关断电路，其特征在于：所述MOS管的类型包括N型MOS管和P型MOS管。

6.IGBT电路，包括权利要求3至5任一项所述的IGBT关断电路。

7.电能变换电路，包括处理器、存储器和一个或多个程序，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置成由所述处理器执行，所述程序包括用于执行如权利要求1-2任一项所述的方法的指令。