[发明专利]硅漂移探测器

权利要求书

1.一种硅漂移探测器，其特征在于，所述硅漂移探测器包括多个依次排列探测单元，各所述探测单元包括：

N型硅片(10)，所述N型硅片(10)包括探测区，所述探测区的正面区域包括间隔设置的一个正面环形N区(11)与多个正面环形P区(12)，至少部分所述正面环形P区(12)设置在所述正面环形N区(11)的周向外侧，所述探测区的背面区域包括P型区(13)；

隔离层(20)，设置在所述N型硅片(10)的正面上，所述隔离层(20)具有多个间隔设置的第一接触孔，其中的一个所述第一接触孔与所述正面环形N区(11)的至少部分表面连接，剩余的各所述第一接触孔对应与一个所述正面环形P区(12)的至少部分表面连接；

多个间隔的正面电极(30)，包括阴极(31)与阳极(32)，所述阴极(31)一一对应地设置在与所述正面环形P区(12)连接的所述第一接触孔中，所述阳极(32)设置在与所述正面环形N区(11)连接的所述第一接触孔中；

背面电极(40)，设置在所述P型区(13)的远离所述探测区的正面区域的表面上；以及

多个间隔的分压部(50)，设置在所述隔离层(20)的远离所述N型硅片(10)的表面上，各所述分压部(50)位于相邻的两个所述阴极(31)之间的所述隔离层(20)的表面上，各所述分压部(50)与相邻的两个所述阴极(31)分别电连接，所述分压部(50)为半导体分压部。

2.根据权利要求1所述的硅漂移探测器，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括接触金属(70)，所述接触金属(70)设置在所述分压部(50)的至少部分表面上以及相邻的所述阴极(31)的至少部分表面上，以将所述分压部(50)与相邻的所述阴极(31)电连接。

3.根据权利要求2所述的硅漂移探测器，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括绝缘层(60)，所述绝缘层(60)设置在所述分压部(50)的远离所述N型硅片(10)的表面上、所述分压部(50)的侧壁上以及所述阴极(31)两侧的所述隔离层(20)的表面上，所述绝缘层(60)具有间隔设置的多个第二接触孔，所述第二接触孔与所述分压部(50)的远离所述N型硅片(10)的部分表面连接，所述第二接触孔中以及至少部分所述绝缘层(60)的表面上设置有所述接触金属(70)，所述接触金属(70)与所述阴极(31)电连接。

4.根据权利要求3所述的硅漂移探测器，其特征在于，所述第一接触孔包括连通的第一子接触孔与第二子接触孔，所述第一子接触孔与所述N型硅片(10)相连接，所述绝缘层(60)还设置在所述第二子接触孔的侧壁与所述阴极(31)之间。

5.根据权利要求1所述的硅漂移探测器，其特征在于，任意相邻的两个所述阴极(31)之间的所述隔离层(20)的表面上具有所述分压部(50)，至少部分所述阴极(31)包括两个间隔设置的阴极部，其中，一个所述阴极部与相邻的一个所述分压部(50)电连接，另一个所述阴极部与相邻的另一个所述分压部(50)电连接。

6.根据权利要求1所述的硅漂移探测器，其特征在于，所述正面环形N区(11)的远离所述探测区的背面区域的表面、所述正面环形P区(12)的远离所述探测区的背面区域的表面以及所述N型硅片(10)的正面平齐，所述P型区(13)的远离所述探测区的正面区域的表面与所述N型硅片(10)的背面平齐。

7.根据权利要求1所述的硅漂移探测器，其特征在于，所述探测区的背面还包括背面环形P区(14)，所述背面环形P区(14)位于所述P型区(13)的周向外侧，所述硅漂移探测器还包括设置在所述背面环形P区(14)的远离所述N型硅片(10)的表面上的背面环电极(41)。

8.根据权利要求1所述的硅漂移探测器，其特征在于，所述分压部(50)的材料包括金属氧化物半导体材料和/或二维半导体材料。