[发明专利]气体分析装置

权利要求书

1.一种气体分析装置，包括：

气体腔，用于容纳有待分析的气体，

辐射源，所述辐射源被设置用于将电磁辐射发射到所述气体腔中，其中所述电磁辐射被设置用于选择性地激发有待分析的气体的分子，以及

传感器，所述传感器被设置用于侦测物理参量，所述物理参量包含信息，所述信息关于由所述辐射源发射的所述电磁辐射与被容纳在气体腔中的所述气体的相互作用程度，

其中，所述辐射源包括：

能够电加热的扁平的辐射元件，所述辐射元件被设置用于发射电磁辐射；以及

壳体，具有扁平的第一壳壁和第二壳壁，所述第一壳壁和所述第二壳壁在它们之间限定并且直接邻接不透流体地与所述辐射源的周边环境分离的辐射元件容纳腔，在所述辐射元件容纳腔中具有相比于常压更小的气压，并且在所述辐射元件容纳腔中使得所述辐射元件的至少一个区段与所述第一壳壁和/或所述第二壳壁间隔地布置，

其中所述第一壳壁和/或所述第二壳壁对于从所述辐射元件能够发射的电磁辐射是可透射的，

其中所述辐射源具有至少一个完全布置在所述辐射元件容纳腔中的在所述第一壳壁与所述第二壳壁之间的间距保持件。

2.根据权利要求1所述的气体分析装置，

其中在所述辐射元件容纳腔中的气压小于100mbar。

3.根据权利要求1或2所述的气体分析装置，

其中至少一个间距保持件与所述第一壳壁和/或所述第二壳壁处于持续的物理接触中。

4.根据权利要求3所述的气体分析装置，

其中所述辐射元件具有至少一个在其厚度方向上延伸的通孔，在所述通孔中布置有所述间距保持件的至少一个区段。

5.根据权利要求3所述的气体分析装置，

其中至少一个间距保持件与所述辐射元件处于持续的物理接触中。

6.根据权利要求1或2所述的气体分析装置，

其中所述辐射元件包括具有导电层和至少一个电绝缘层的层结构。

7.根据权利要求1或2所述的气体分析装置，

其中所述第一壳壁和/或所述第二壳壁包括滤波器或者被构造为滤波器，所述滤波器被设置用于波长选择地透射从所述辐射元件能够发射的电磁辐射。

8.根据权利要求7所述的气体分析装置，

其中所述滤波器包括具有固定的预定透射特性的滤波器或者被构造为这样的滤波器，

和/或

其中所述滤波器包括可调节的滤波器或者被构造为可调节的滤波器，所述滤波器的透射特性是可调节的。

9.根据权利要求1或2所述的气体分析装置，

其中所述第一壳壁和/或所述第二壳壁具有反射器或者被构造为反射器，所述反射器被设置用于反射从所述辐射元件能够发射的电磁辐射。

10.根据权利要求9所述的气体分析装置，

其中所述反射器包括金属反射器和/或布拉格反射器或者被构造为金属反射器和/或布拉格反射器。

11.根据权利要求7所述的气体分析装置，

其中所述第一壳壁和所述第二壳壁中的一个具有直接邻接所述辐射元件容纳腔的滤波器，并且所述第一和所述第二壳壁中的另一个具有直接邻接所述辐射元件容纳腔的反射器，其中在所述滤波器与所述反射器之间的间距对应于半个波长的整数倍，所述波长被包括在所述滤波器的透射范围中。

12.根据权利要求1所述的气体分析装置，

其中在所述辐射元件容纳腔中的气压小于50mbar。

13.根据权利要求1所述的气体分析装置，

其中在所述辐射元件容纳腔中的气压小于10mbar。