[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201711477800.2 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108281462B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 朴银贞;金官洙;金炳秀;石韩星;金修贤;金锡显 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括:
基板,该基板包括多个像素,各个像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素至所述第三子像素中的每一个具有发射部分和围绕所述发射部分的非发射部分;
第一电极,该第一电极位于所述第一子像素至所述第三子像素中的每一个的发射部分上;
堤,该堤位于所述非发射部分上;
第一间隔体,该第一间隔体具有倒锥形形状并且在第一方向上至少在所述第一子像素的所述发射部分与所述第二子像素的所述发射部分之间被设置在所述堤上;
有机叠层,该有机叠层位于所述第一电极和所述第一间隔体上方,其中,所述有机叠层在所述第一间隔体的侧面具有间隙;以及
第二电极,该第二电极被布置在所述有机叠层上,
其中,所述第一间隔体在所述第一方向上的长度比所述第一子像素的所述发射部分在所述第一方向上的长度短并且比所述第二子像素的所述发射部分的长度长,
其中,所述第二子像素和所述第三子像素在和所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一子像素分开,并且
其中,所述第二子像素和所述第三子像素在所述第一方向上交替地布置。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一间隔体在所述第一子像素与所述第三子像素之间延伸。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述第一子像素在所述第一方向上至少延伸到所述第三子像素的边缘,所述边缘位于所述第三子像素的远离所述第二子像素的一侧处。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一间隔体包括位于所述第一子像素与所述第二子像素之间的第一段以及位于所述第二子像素与所述第三子像素之间的第二段,其中,所述第一段和所述第二段直接连接。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一间隔体包括位于所述第一子像素与所述第二子像素之间的第一段以及位于所述第一子像素与所述第三子像素之间的第二段,并且所述第一段和所述第二段在所述第一方向上分开。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述第二段比所述第二子像素在所述第二方向上的尺寸或所述第三子像素在所述第二方向上的尺寸长。
7. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一间隔体在所述第二方向上具有范围从1 μm到5 μm的宽度。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,在所述第一子像素到所述第三子像素当中所述第一子像素的阈值电压最高。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,该有机发光显示装置还包括被设置在所述第二子像素与所述第三子像素之间的第二间隔体。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中,所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个在所述第一方向上比所述第一子像素小。
11.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中,所述第二间隔体比所述第一间隔体高。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述有机叠层包括接触所述第一电极的空穴注入层和至少一个叠层,所述至少一个叠层包括空穴传输层、发光层和电子传输层的顺序叠层。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,所述有机叠层包括多个叠层,所述多个叠层中的每一个叠层包括空穴传输层、发光层和电子传输层的顺序叠层,该有机发光显示装置还包括位于所述多个叠层之间的电荷产生层。
14.根据权利要求12或13所述的有机发光显示装置,其中,所述有机叠层中的至少一个层在所述第一间隔体的侧面处具有间隙。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的