[发明专利]一种垂直结构白光作业后的清洗方法

说明书

本发明公开了一种垂直结构白光作业后的清洗方法，包括：提供一硫酸溶液；向所述的硫酸溶液中至少注入两次双氧水，形成清洗液；将晶圆光刻胶在所述的清洗液中浸泡，将晶圆上除荧光粉外的光刻胶去除。本发明改变 H2SO4与H2O2配比，调试后溶液做光刻胶去除剂，提高白光芯片的良率度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种垂直结构白光作业后的清洗方法。

背景技术

目前基于LED蓝光上加荧光粉制作的白光LED在制备效率高、制备简单、温度稳定性好及显色性较好等优点，在通用照明、景观照明、特种照明、汽车照明中被广泛应用。由于在制作过程中需要将不需要的光刻胶除去，该流程使用的材料无法在碱性溶液中清洗，常规使用511溶液（H2SO4：H2O2：H2O2=5:1:1）来去除，会使荧光粉碳化影响CCT良率及使用寿命、或是光刻胶残留影响打线效果。本发明利用硫酸与双氧水在一定配比及温度下可有效解决荧光粉碳化及光刻胶残留问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种垂直结构白光作业后的清洗方法，改变 H2SO4与H2O2配比，调试后溶液做光刻胶去除剂，提高白光芯片的良率度。

为了实现以上目的，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种垂直结构白光作业后的清洗方法，其特点是，包括：

提供一硫酸溶液；

向所述的硫酸溶液中至少注入两次双氧水，形成清洗液；

将晶圆光刻胶在所述的清洗液中浸泡，将晶圆上除荧光粉外的光刻胶去除。

所述的向所述的硫酸溶液中至少注入两次双氧水包括：

在8份的硫酸溶液中加入2.8份的双氧水形成混合溶液；

待混合溶液降至一定温度后，向所述的混合溶液加入0.3份的双氧水并恒温一段时间。

所述的清洗液与光刻胶的去除反应时间为5min。

本发明与现有技术相比，具有以下优点：

利用H2SO4与H2O2在一定配比及温度下将芯片上的除荧光粉外的光刻胶除去，荧光粉碳化及光刻胶残留较少，提高芯片的CCT良率及改善打线不牢问题，从而提高白光芯片的发光性能。

附图说明

图1为本发明一种垂直结构白光作业后的清洗方法的流程图。

图2为本发明一种垂直结构芯片的示意图。

图3为清洗光胶的结构原理图。

具体实施方式

以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本发明做进一步阐述。

为解决现有技术中会使荧光粉碳化影响CCT良率及使用寿命、或是光刻胶残留影响打线效果的问题，本申请的发明人经过研究提出了一种垂直结构白光作业后的清洗方法。以下对该清洗方法进行详细描述。

图1为本发明一种垂直结构白光作业后的清洗方法的流程图，该方法包含：

步骤S101，提供一硫酸溶液；

步骤S102，向所述的硫酸溶液中至少注入两次双氧水，形成清洗液；

步骤S103，将晶圆光刻胶在所述的清洗液中浸泡，将晶圆上除荧光粉外的光刻胶去除。