[发明专利]一种固态硬盘提升顺序读性能的方法及固态硬盘

说明书

本发明公开了一种固态硬盘提升顺序读性能的方法及固态硬盘,其特征在于在读操作中增加一个拼接单元和命令判断模块,所述命令判断模块根据输入的读命令的逻辑地址是否连续判断一定间隔内的命令是否属于顺序读命令,如果是则将当前的顺序读请求加入拼接单元，将读命令按照写入的规则进行拼接，完成拼接后实现同一个拼接单元的读命令按并行读取的方式访问存储单元。简单的根据读命令的逻辑地址是否连续判定是否为顺序读命令，通过增加的拼接单元，将读命令按照写入的规则进行拼接，实现多个命令并行的读取操作，有效地提升了顺序读性能。

技术领域

本发明涉及固态硬盘控制技术，特别涉及一种固态硬盘提升顺序读性能的方法及固态硬盘。

背景技术

图1是Nand Flash的内部组成示意图：通道Die,可独立并发操作的单元；块Block，擦除的单元；页Page，读写的单元。

图2是每个Die的内部组织结构图。平面Plane 0和平面Plane 1的Block组织在一起进行并行操作即为Multi_Plane操作，Multi_Plane操作能有效提升Nand Flash的利用率，其要求是Block组属于不同的Plane，且操作的Page需一致(Erase除外)。以Read为例，读取Block 0和Block 1的Page 0，如果是非Multi_Plane操作，则需要两个读时钟tR，如果是Multi_Plane操作，则仅需要一个读时钟tR。。

发明内容

针对以上缺陷，本发明目的是如何提高顺序读可并行操作的概率,整体上提高固体硬盘的性能。

为了解决以上问题本发明提出了一种固态硬盘提升顺序读性能的方法,其特征在于在读操作中增加一个拼接单元和命令判断模块,所述命令判断模块根据输入的读命令的逻辑地址是否连续判断一定时间间隔内的命令是否属于顺序读命令,如果是则将当前的顺序读命令加入拼接单元，将读命令按照写入SSD时的规则进行拼接，完成拼接后实现同一个拼接单元的读命令按并行读取的方式访问存储单元。

所述的固态硬盘提升顺序读性能的方法,其特征在于新产生的顺序读命令在加入拼接单元前先判断新的顺序读命令是否与已有的拼接单元符合拼接规则,如果是则直接加入拼接单元,如果不是则将已有拼接单元刷新执行,并生成新的拼接单元,将顺序读命令加入新的拼接单元。

所述的固态硬盘提升顺序读性能的方法,其特征在于还包括超时触发模块，当一个拼接单元超过预先设定的时间没有新的读命令加入拼接单元，则将已有拼接单元刷新执行。

一种固态硬盘，其特征在于在读操作中增加一个拼接单元和命令判断模块,所述命令判断模块根据输入的读命令的逻辑地址是否连续判断一定时间间隔内的命令是否属于顺序读命令,如果是则将当前的顺序读命令加入拼接单元，完成拼接后实现同一个拼接单元的读命令按并行读取的方式访问存储单元。

所述的固态硬盘,其特征在于新产生的顺序读命令在加入拼接单元前先判断新的顺序读命令是否与已有的拼接单元符合拼接规则,如果是则直接加入拼接单元,如果不是则将已有拼接单元刷新执行,并生成新的拼接单元,将顺序读命令加入新的拼接单元。

所述的固态硬盘,其特征在于还包括超时触发模块，当一个拼接单元超过预先设定的时间没有新的读命令加入拼接单元，则将已有拼接单元刷新执行。

本发明的有益效果是：简单的根据读命令的逻辑地址是否连续判定是否为顺序读命令，通过增加的拼接单元，将读命令按照写入的规则进行拼接，实现多个命令并行的读取操作，有效地提升了顺序读性能。

附图说明

图1是Nand Flash内部组成示意图；

图2是每个Die内部组织结构示意图；

图3是连续LPA的写入地址分配规则示意图；

图4是任务驱动时的执行流程图；