[发明专利]一种LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包含：

衬底，及依次形成于所述衬底上的N-GaN层、量子阱层和P-GaN层、欧姆接触层、反射层；

贯穿所述反射层、欧姆接触层、P-GaN层及量子阱层的第一电极接触孔；

形成于所述第一电极接触孔并与所述N-GaN层相连接的第一电极；

与所述反射层相连接的第二电极；

所述反射层进一步包含形成在所述欧姆接触层上的银层，形成在银层上的钛钨层，以及形成在钛钨层上的钛层。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，

所述反射层中银层的厚度为1200～2500埃，钛钨层的厚度为500～1500埃，钛层的厚度为500～1500埃。

3.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，

所述LED芯片进一步包含隔离层，所述隔离层覆盖所述反射层及第一电极接触孔的侧壁，所述第二电极与从所述隔离层的开口处暴露出的反射层相连接，所述第一电极与第一电极接触孔底部暴露出的N-GaN层相连接。

4.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，包含以下过程：

提供前端结构，所述前端结构包括衬底，及依次形成于所述衬底上的N-GaN层、量子阱层和P-GaN层；

在所述前端结构上形成欧姆接触层，并进行图案化，暴露出P-GaN层；

在所述欧姆接触层上形成反射层，并进行图案化，将所述欧姆接触层开口处的P-GaN层暴露出来；所述反射层进一步包含形成在所述欧姆接触层上的银层，形成在银层上的钛钨层，以及形成在钛钨层上的钛层；

刻蚀暴露出的P-GaN层、量子阱层形成第一电极接触孔，并延伸到N-GaN层；

在第一电极接触孔中形成第一电极；

在反射层上形成第二电极。

5.如权利要求4所述LED芯片的制造方法，其特征在于，

所述反射层的银层、钛钨层、钛层采用溅射方式依次形成。

6.如权利要求5所述LED芯片的制造方法，其特征在于，

在形成所述第一电极接触孔后形成隔离层，所述隔离层覆盖所述反射层及第一电极接触孔的侧壁；

所述第二电极形成在所述隔离层上，并与从所述隔离层的开口处暴露出的反射层相连接；

所述第一电极形成在所述隔离层上，并与第一电极接触孔底部暴露出的N-GaN层相连接。

7.一种LED芯片，其特征在于，包含：

键合衬底，及依次位于所述键合衬底上的金属键合层、反射层、欧姆接触层、P-GaN层、量子阱层、N-GaN层；

与所述N-GaN层相连接的第一电极；

其中，所述反射层进一步包含形成在欧姆接触层表面的银层，形成在银层表面的钛钨层，以及形成在钛钨层表面的钛层。

8.如权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，

所述反射层中银层的厚度为1200～2500埃，钛钨层的厚度为500～1500埃，钛层的厚度为500～1500埃。

9.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，包含以下过程：

提供前端结构，所述前端结构包含生长衬底，及依次形成在所述生长衬底上的UID-GaN缓冲层、N-GaN层、量子阱层和P-GaN层；

在所述P-GaN层上形成欧姆接触层；

在所述欧姆接触层上形成反射层，所述反射层进一步包含形成在欧姆接触层表面的银层，形成在银层表面的钛钨层，以及形成在钛钨层表面的钛层；

在所述放射层上形成金属键合层；

在所述金属键合层上形成键合衬底，并将其与金属键合层进行键合；

去除所述生长衬底；

刻蚀所述UID-GaN缓冲层，暴露出N-GaN层；

在所述N-GaN层表面形成第一电极。

10.如权利要求9所述LED芯片的制造方法，其特征在于，

所述反射层的银层、钛钨层、钛层采用溅射方式依次形成。