[发明专利]一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置

说明书

本发明实施例提供了一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置，该Nand flash元件具体包括一个封装体，封装体内封装有Nand flash内核和内部控制器，内部控制器包括低格模块。该内部控制器用于对Nand flash内核进行读操作、写操作、擦除操作、ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理，这样一来也就无需通过片外的主控制器实现上述管理，从而有效解决了主控制器负担较重的问题。

技术领域

本发明涉及内存技术领域，特别是涉及一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置。

背景技术

Nand flash是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand flash有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

Nand flash的数据是以bit的方式保存在memory cell中，一般来说，每个cell中只能存储一个bit；这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些bit line再组成Page，根据厂商或型号的不同，每页的bit line数也不同；多个page形成一个Block，例如32个page。具体一片Nandflash上有多少个Block视需要所定。

Nand flash需要控制器管理其功能，例如ECC校验、坏块管理、地址映射、损耗均衡等，然而一般的Nand flash在其封装体内均没有设置相应的内部控制器，因此，上述对其功能的管理均依赖相应的主控制器去实现，从而增加了相应主控制器的负担。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置，以解决Nand flash元件因需要依赖主控制器对其进行管理而导致主控制器负担较重的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种Nand flash元件，包括一个封装体，所述封装体内封装有Nand flash内核和内部控制器，其中：

所述内部控制器用于对所述Nand flash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理；

所述低格模块用于根据上位机发送的低格控制程序对所述Nand flash内核进行低级格式化操作。

另外，本发明还提供了一种低格控制方法，应用于如上所述的Nand flash元件的低格模块，所述低格控制方法包括步骤：

检测所述Nand flash元件的封装体内有多少个Nand flash内核；

从所述Nand flash内核中进行坏块检查；

对所述Nand flash内核进行块管理，并生成地址映射表；

从上位机接收所述Nand flash元件的产品固件，并保存在所述Nand flash内核中；

保存所述Nand flash的映射表和所述上位机发送的配置信息。

可选的，所述对所有所述Nand flash内核进行坏块检查，包括：

对所述Nand flash内核中所有的块进行检查；

将检查到的坏块的块物理地址加入到坏块表。

可选的，所述对所述Nand flash内核进行块管理，包括：

对坏块之外的所有块进行分配，分配出用户区和管理区，所述管理区中包括空闲块；