[发明专利]一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置有效
申请号: | 201711449645.3 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108231124B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 庄开锋 | 申请(专利权)人: | 西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12;G11C29/42 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 710000 陕西省西安市高新区天谷*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nand flash 元件 及其 低格 控制 方法 装置 | ||
1.一种Nand flash元件,其特征在于,包括一个封装体,所述封装体内封装有Nandflash内核和内部控制器,所述内部控制器包括基础配置模块、基础加载模块、低格模块和产品固件模块,其中:
所述基础配置模块用于存储所述Nand flash内核的基础信息和配置信息;
所述基础加载模块用于接收上位机发送的数据信息和控制信息,并将产品固件加载到RAM中;
所述低格模块用于根据上位机发送的低格控制程序对所述Nand flash内核进行低级格式化操作;
所述产品固件模块用于根据上位机发送的数据信息和控制信息,对Nand flash内核进行读操作、写操作、擦除操作、ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理和损耗均衡管理。
2.一种低格控制方法,应用于如权利要求1所述的Nand flash元件的低格模块,其特征在于,所述低格控制方法包括步骤:
检测所述Nand flash元件的封装体内有多少个Nand flash内核;
从所述Nand flash内核中进行坏块检查;
对所述Nand flash内核进行块管理,并生成地址映射表;其中,所述块管理为对坏块之外的所有块进行分配,分配出用户区和管理区,所述管理区中包括空闲块;从上位机接收所述Nand flash元件的产品固件,并保存在所述Nand flash内核中,具体为将所述产品固件保存在所述管理区中;
保存所述Nand flash元件的映射表和所述上位机发送的配置信息。
3.如权利要求2所述的低格控制方法,其特征在于,所述对所述Nand flash内核进行坏块检查,包括:
对所有所述Nand flash内核中所有的块进行检查;
将检查到的坏块的块物理地址加入到坏块表。
4.如权利 要求2所述的低格控制方法,其特征在于,所述对所述Nand flash内核进行块管理,还包括:
当所述用户区或所述管理区中产生坏块时,将所述空闲块对所述用户区或所述管理区进行替换,并更新坏块表和所述地址映射表。
5.如权利要求4所述的低格控制方法,其特征在于,所述用户区用于供用户存储用户数据;
所述管理区用于存储系统数据、映射表、产品固件和配置信息中的部分或全部。
6.一种低格控制装置,应用于如权利要求1所述的Nand flash元件的低格模块,其特征在于,所述低格控制装置包括:
内核检测模块,用于检测所述Nand flash元件的封装体内有多少个Nand flash内核;
坏块检查模块,用于从所述Nand flash内核中进行坏块检查;
块管理模块,用于对所述Nand flash内核进行块管理;
固件加载模块,用于从上位机接收所述Nand flash元件的产品固件,并保存在所述Nand flash内核中,具体用于将所述产品固件保存在所述管理区中;
信息保存模块,用于保存所述Nand flash元件的映射表和所述上位机发送的配置信息。
7.如权利要求6所述的低格控制装置,其特征在于,所述坏块检查模块于包括:
坏块检查单元,对所述Nand flash内核中所有的块进行检查;
坏块记录单元,用于将检查到的坏块的块物理地址加入到坏块表。
8.如权利要求6所述的低格控制装置,其特征在于,所述块管理模块包括:
块分配单元,用于对坏块之外的所有块进行分配,分配出用户区和管理区,所述管理区中包括空闲块;
块替换单元,用于当所述用户区或所述管理区中产生坏块时,将所述空闲块对所述用户区或所述管理区进行替换,并更新坏块表和所述地址映射表。
9.如权利要求8所述的低格控制装置,其特征在于,所述用户区用于供用户存储用户数据;
所述管理区用于存储系统数据、映射表、产品固件和配置信息中的部分或全部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司,未经西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711449645.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体存储器件的校准方法
- 下一篇:半导体器件及其操作方法