[发明专利]一种量子点光刻胶及其制备方法、量子点彩膜的制备方法有效
申请号: | 201711448281.7 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN109976089B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 朱舒卷;曹蔚然 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;C09K11/88;C09K11/02 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 光刻 及其 制备 方法 点彩膜 | ||
本发明公开了一种量子点光刻胶及其制备方法、量子点彩膜的制备方法,其中,所述量子点光刻胶,包括光刻胶基材以及掺杂在所述光刻胶基材中的量子点材料,所述量子点材料表面结合有有机配体,通过有机配体的配位作用既提高了量子点的发光强度,又可以防止量子点团聚,提高了量子点的稳定性,进而可以通过光刻的方式即形成稳定的量子点彩膜,易于实现量产,解决了现有制备量子点彩膜的工艺复杂且所制备的量子点彩膜质量不佳的问题。
技术领域
本发明涉及QLED技术领域,尤其涉及一种量子点光刻胶及其制备方法、量子点彩膜的制备方法。
背景技术
量子点半导体材料作为一种新型纳米材料,因其具有更高的色纯度,更广的色域,稳定性高以及荧光寿命长的特点,在显示领域表现出绝对的竞争优势。但是由于现有量子点显示器件许多工艺尚未成熟,限制了在显示领域的应用。但是现有的自发光的量子点的显示技术仍存在许许多多的问题,从制备到封装各个工艺,环境因素,量子点的稳定性都限制了其应用。例如目前量子点显示领域所采用的QDEF技术,虽然可以获得更广的色域和更高的色纯度,但其发光效率和光利用率很低,需要改进量子点;而如果通过打印方法实现量子点图案化,因为不同量子点的有着不同的墨水配比,使得打印的均匀性无法得到保障,在很大程度上都限制了大批量、大尺寸的量子点彩膜的生产,打印的精度也无法与光刻工艺相提并论。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种量子点光刻胶及其制备方法、量子点彩膜的制备方法,旨在解决现有制备量子点彩膜的工艺复杂且所制备的量子点彩膜质量不佳的问题。
本发明的技术方案如下:
一种量子点光刻胶,其中,包括光刻胶基材以及掺杂在所述光刻胶基材中的量子点材料,所述量子点材料表面结合有有机配体。
所述的量子点光刻胶,其中,所述有机配体为具有D-π-A结构的有机配体,其中A为吸电子基团,π为具有共轭电子对的基团,D为给电子基团。
所述的量子点光刻胶,其中,A为巯基、羧基、酯基和醛基中的一种多种;和/或
D为三苯胺基和咔唑基中的一种或多种。
所述的量子点光刻胶,其中,所述有机配体的结构式为:
、、或
所述的量子点光刻胶,其中,所述量子点材料中,按质量百分比计,有机配体的占比为1/60~1/30。
所述的量子点光刻胶,其中,所述量子点光刻胶中,按质量百分比计,量子点材料的掺杂比例为3%~10%。
所述的量子点光刻胶,其中,所述光刻胶基材为负性光刻胶基材。
所述的量子点光刻胶,其中,所述光刻胶基材为聚异戊二烯或聚乙烯肉桂酸酯。
所述的量子点光刻胶,其中,所述量子点材料为红色量子点、蓝色量子点或绿色量子点。
一种量子点光刻胶的制备方法,其中,包括步骤:
提供量子点材料,所述量子点材料表面结合有有机配体;
将所述量子点材料掺杂在光刻胶基材中,混合均匀,即得到量子点光刻胶。
一种量子点彩膜的制备方法,其步骤为:
提供基底,在所述基底上制作矩阵排列形式的黑矩阵,然后在黑矩阵之间沉积具有红色量子点的红色量子点光刻胶、具有蓝色量子点的蓝色量子点光刻胶和具有绿色量子点的绿色量子点光刻胶,再经曝光显影,分别形成红色量子点像素、蓝色量子点像素和绿色量子点像素,得到量子点彩膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司,未经TCL科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711448281.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。