[发明专利]一种闪存芯片测试方法和系统有效

专利信息
申请号: 201711445182.3 申请日: 2017-12-27
公开(公告)号: CN108564984B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 蔡德智;王永成;韩飞 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 闪存 芯片 测试 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种闪存芯片测试方法,应用于闪存芯片测试系统,其特征在于,所述系统的包括:PC,PMU测量单元、校准装置接口板、闪存芯片接口板;其中,所述校准装置接口板包括:校准装置和接口板;所述校准装置接口板和所述PMU测量单元连接;所述PMU测量单元和所述PC连接;所述闪存芯片接口板和所述校准装置接口板等位替换;

所述方法,包括:

所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令;其中,所述第一输出指令包括:第一输出电压指令或第一输出电流指令;

所述PMU测量单元根据所述第一输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第一初始电源;其中,所述第一初始电源包括:第一初始电流或第一初始电压;

所述PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时,测试所述校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流;

所述PMU测量单元将所述第一测试电压和所述第一测试电流反馈给所述PC;

所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置,配置第一校准参数;

所述PMU测量单元根据所述第一校准参数校准所述PMU测量单元;

将所述闪存芯片接口板等位替换所述校准装置接口板后,并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述系统还包括:高精度测量仪器;其中,所述高精度测量仪器与所述校准装置接口板连接,且所述高精度测量仪器与所述PC连接;

则所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令的步骤之前,还包括:

所述PMU测量单元接收所述PC发送的第二输出指令;其中,所述第二输出指令包括:第二输出电压指令或第二输出电流指令;

所述PMU测量单元根据所述第二输出指令,向所述校准装置接口板提供稳定的第二初始电源;其中,所述第二初始电源包括:第二初始电流或第二初始电压;

所述高精度测量仪器测试所述校准装置接口板的第二测试电压,并将所述第二测试电压反馈给所述PC;

所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置第二校准参数;

当所述PC将所述第二校准参数发送给所述PMU测量单元后,所述PMU测量单元根据第二校准参数校准所述PMU测量单元;

则所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令的步骤,包括:

采用经过所述第二校准参数校准后的所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置,配置第一校准参数的步骤,包括:

所述PC根据所述第一输出指令和所述校准装置,获取对应的第一标准电压和第一标准电流;

所述PC计算所述第一标准电压和所述第一测试电压的电压差值,同时计算所述第一标准电流和所述第一测试电流的电流差值;

所述PC根据所述电压差值和所述电流差值,配置第一校准参数。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当所述第二输出指令为所述第二输出电压指令时,则所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置所述第二校准参数的步骤,包括:

所述PC计算所述第二测试电压和所述第二输出电压指令的第二电压差值;

所述PC根据所述第二电压差值,配置所述第二校准参数。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当所述第二输出指令为所述第二输出电流指令时,则所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令,配置所述第二校准参数的步骤,包括:

所述PC获取所述校准装置接口板的第一电阻;

所述PC根据所述第一电阻和所述第二输出电流指令,计算第一电压;

所述PC计算所述第二测试电压和所述第一电压的第三电压差值;

所述PC根据所述第三电压差值,配置所述第二校准参数。

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