[发明专利]一种柔性空间用三结太阳电池减反射膜制备方法

权利要求书

1.一种柔性空间用三结太阳电池减反射膜制备方法，其特征在于：在常温下，采用电子束热蒸发和离子源辅助沉积相结合的方法在所述太阳电池表面沉积所述减反射膜，所述离子源辅助沉积的离子源为MarkⅡ型霍尔离子源，所述霍尔离子源的阳极加速电压为150V～180V，辅助粒子束流为5A～6A。

2.根据权利要求1所述柔性空间用三结太阳电池减反射膜制备方法，其特征在于：所述减反射膜包括TiO_x薄膜和SiO₂薄膜。

3.根据权利要求2所述柔性空间用三结太阳电池减反射膜制备方法，其特征在于：所述TiO_x薄膜的沉积速率为0.3nm/s～0.45nm/s，沉积厚度为50nm～55nm；所述SiO₂薄膜的沉积速率为0.55nm/s～0.75nm/s，沉积厚度为88nm～95nm。

4.根据权利要求3所述柔性空间用三结太阳电池减反射膜制备方法，其特征在于：所述TiO_x薄膜沉积时的蒸发源材料是底面直径为1cm、高为1cm的圆柱形材料；所述SiO₂薄膜沉积时的蒸发源材料是直径为2mm～4mm的颗粒。

5.根据权利要求4所述柔性空间用三结太阳电池减反射膜制备方法，其特征在于：所述减反射膜的沉积在真空度达到10^-3Pa以下的真空环境下进行，充入的工作气体使所述真空环境的气压范围在1×10^-2Pa～3×10^-2Pa之间。

6.一种使用如权利要求5所述制备方法制备的柔性空间用三结太阳电池减反射膜，其特征在于：依次包括折射率范围为2.20～2.25的TiO_x薄膜和折射率范围为1.44～1.46的SiO₂薄膜。

7.根据权利要求6所述柔性空间用三结太阳电池减反射膜，其特征在于：所述TiO_x薄膜的厚度为53nm；所述SiO₂薄膜的厚度为90nm。