[发明专利]阵列基板及其制备方法、柔性OLED显示器件

说明书

本发明提供了一种阵列基板的制备方法，包括：在柔性衬底上依次沉积金属铝膜、沉积缓冲层、沉积非晶硅薄膜；对非晶硅薄膜依次进行去氢处理和氢氟酸清洗后，再对其进行晶化处理，使非晶硅薄膜转变成低温多晶硅薄膜；再对所述低温多晶硅薄膜进行图案化处理，形成低温多晶硅层。所述金属铝膜的存在，使得可采用较高温度的等离子增强化学气相沉积法形成致密性高的缓冲层，缓解了对柔性衬底的撞击，而不会对PECVD设备的腔体、管道带来的有机物污染。本发明还提供了一种阵列基板和柔性OLED显示器件。

技术领域

本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、柔性OLED显示器件。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diodes，简称OLED)是自发光器件，它具有质量轻薄、功耗低、响应速度快、发光效率高及可实现柔性显示等优点，成为近年来应用较广的显示器件之一。其中，柔性OLED显示器件成为目前显示领域的主流产品。柔性OLED显示器件主要是以有机材料(如酰亚胺)作为柔性衬底，在此基础上制作TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)结构和OLED元件层等。

在制作TFT结构时，通常需要在柔性衬底上制备低温多晶硅层，以提高TFT器件的性能均衡性，但低温多晶硅层的形成需要经历激光晶化等高温制程，这就还需要在柔性衬底上制作较厚的氮化硅等作为缓冲层，以避免柔性衬底受到损伤和提高柔性基底的阻隔水氧的能力，但缓冲层通常是采用高温等离子增强化学气相沉积法(PECVD)得到，而高温PECVD过程中等离子体会直接轰击有机材料的柔性衬底，产生的有机物会污染PECVD设备的腔体、管道等。

发明内容

鉴于此，本发明提供了一种可用于柔性OLED显示器件的阵列基板及其制备方法，用于解决现有技术中在柔性基底上直接采用PECVD工艺制作缓冲层的过程中，对PECVD设备的腔体、管道等的有机物污染。

具体地，本发明第一方面提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

提供柔性衬底，在所述柔性衬底上沉积金属铝膜；

采用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在所述金属铝膜上沉积缓冲层；

在所述缓冲层之上沉积非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行晶化处理，使所述非晶硅薄膜转变成低温多晶硅薄膜；

对所述低温多晶硅薄膜进行图案化处理，形成一定形状的低温多晶硅层。

其中，所述金属铝膜的厚度为0.05-1μm。

其中，所述金属铝膜是采用物理气相沉积的方式形成；所述金属铝膜的沉积温度为100-350℃。

其中，所述缓冲层的材料包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的至少一种。进一步可选地，缓冲层可以为单层的氧化硅膜层或氮化硅膜层，或者为氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的叠层结构。

其中，所述缓冲层的厚度为0.05-1μm。

其中，在对所述非晶硅薄膜进行晶化处理之前还包括：对所述非晶硅薄膜依次进行去氢处理和氢氟酸清洗。

其中，所述晶化处理的方式包括准分子激光结晶化法或固相晶化法。

其中，所述低温多晶硅层的厚度为0.02-0.5μm。