[发明专利]一种电源开机防反接浪涌抑制开关电路在审
申请号: | 201711405399.1 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108092251A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 倪新 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十六研究所 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02;H02H11/00 |
代理公司: | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 胡时冶;牟姣 |
地址: | 314033 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增强型 电容 开机 电路 表贴电阻 开关电路 可调电阻 浪涌电流 浪涌抑制 防反接 反接 通断 电源 正极 上电时间控制 负极 电源反接 电源正负 调整电阻 供电电路 接入电源 开关损耗 控制电路 时间调节 压敏电阻 可安装 熔断器 断路 电阻 分压 减小 上电 节约 灵活 预防 保证 | ||
1.一种电源开机防反接浪涌抑制开关电路,其特征在于,包括:电阻R1、可调电阻R2、电容C1、增强型MOS管Q1、增强型MOS管Q2、开关S1;所述开关S1的一端与电源的一端相连,另一端与电阻R1的一端、负载的一端相连;所述电阻R1的另一端分别与可调电阻R2的一端、电容C1的一端、增强型MOS管Q1的栅极、增强型MOS管Q2的栅极相连;所述可调电阻R2的另一端与电容C1的另一端、增强型MOS管Q1的源极、增强型MOS管Q2的源极相连;所述增强型MOS管Q1的漏极与电源另一端相连;所述增强型MOS管Q2的漏极与负载的另一端相连。
2.根据权利要求1所述的电源开机防反接浪涌抑制开关电路,其特征在于,可调电阻R2的阻值由电阻控制电路调节,所述电阻控制电路包括n个电阻串联;所述n个电阻的阻值为X到2
3.根据权利要求2所述的电源开机防反接浪涌抑制开关电路,其特征在于,微处理器控制开关通断包括,所述微处理器接收上电时间信号,根据一阶电路的零状态响应
4.根据权利要求3所述的电源开机防反接浪涌抑制开关电路,其特征在于,还包括压敏电阻R3、压敏电阻R4;所述压敏电阻R3的一端与电阻R1的一端相连,另一端与电源负极相连,所述压敏电阻R4与压敏电阻R3并联。
5.根据权利要求4所述的电源开机防反接浪涌抑制开关电路,其特征在于,还包括电容C2,所述电容C2与压敏电阻R3并联,用于吸收开关S1闭合时的峰值电流。
6.根据权利要求5所述的电源开机防反接浪涌抑制开关电路,其特征在于,还包括熔断器F1,所述熔断器F1的一端与输入电源的一端相连,另一端与压敏电阻R3的一端相连。
7.根据权利要求6所述的电源开机防反接浪涌抑制开关电路,其特征在于,所述电容C1、C2为表贴电容;所述熔断器F1为贴片熔断器;所述电阻R1、可调电阻R2为表贴电阻,所述压敏电阻R3、R4为表贴压敏电阻。
8.根据权利要求7所述的电源开机防反接浪涌抑制开关电路,其特征在于,所述电容C1、C2的构成材料为陶瓷材料。
9.根据权利要求8所述的电源开机防反接浪涌抑制开关电路,其特征在于,所述电阻R1、可调电阻R2为不带封装的薄膜电阻,所述薄膜的材料包括氮化钽。
10.根据权利要求1~9之一所述的电源开机防反接浪涌抑制开关电路,其特征在于,所述增强型MOS管为N沟道增强型MOS管。
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