[发明专利]一种多晶硅太阳能电池片外观划痕缺陷检测的方法

权利要求书

1.一种太阳能电池片外观划痕缺陷检测的方法，该方法包括两个步骤单元：

第一步，对图像进行预处理

1-1标定相机，消除畸变；

1-2旋转校正图像：对采集到的三通道彩色图像进行旋转校正，使图像平行于坐标轴；

1-3图像通道分解：在步骤1-2的基础上，把彩色图像分解成R、G、B三个单通道图像；

1-4固定阈值分割：在步骤1-3的基础上，对图像进行固定阈值分割，得到二值图像；

1-5消除干扰，获取感兴趣区域：在步骤1-4的基础上，依据设定的面积阈值，消除传送带的影响，筛选出待检测的的感兴趣区域；

第二步，检测划痕区域

2-1傅里叶变换：在步骤1-5的基础上，对R通道图像进行傅里叶变换，去除周期性信号的干扰；

2-2卷积操作：在步骤2-1的基础上，对频域中的图像进行卷积操作，增强边缘；

2-3傅里叶反变换：在步骤2-2的基础上，对图像进行傅里叶反变换到空间域；

2-4增强图像对比度：在步骤2-3的基础上，对图像进行增强操作，提高背景与前景的对比度；

2-5自适应阈值分割：在步骤2-4的基础上，对图像进行自适应阈值分割；

2-6筛选并统计缺陷：在步骤2-5的基础上，根据划痕缺陷的大小、灰度值特征进行筛选缺陷并统计缺陷个数；

2-7标注缺陷：在步骤2-6的基础上，将缺陷的位置标注在原图上。

2. 根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池片外观划痕缺陷检测的方法，其特征在于：图像采集所用相机是500万像素工业相机，采集图像大小为2456* 2054，精度0.08mm/pixl。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池片外观划痕缺陷检测的方法，其特征在于：此方法适用的太阳能电池片大小为156mm *156mm。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池片外观划痕缺陷检测的方法，其特征在于：在步骤1-4中，进行固定阈值分割时，根据灰度图像的范围，所述阈值分割时阈值的取值范围是1-255。

5.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池片外观划痕缺陷检测的方法，其特征在于： 在所述步骤1-5中，所述消除传送带干扰时，选取待检测区域面积area的范围大于最大传送带的面积，所述待检测区域area的取值范围为1000-1000000。

6.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池片外观划痕缺陷检测的方法，其特征在于：在所述步骤2-2中，对图像进行卷积操作，采用3*3的滤波模板。

7.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池片外观划痕缺陷检测的方法，其特征在于： 在所述步骤2-5中，所述筛选缺陷是根据缺陷宽width和高度height分别大于5个像素的原则进行标示，即所述筛选缺陷的宽度width和高度height如果大于0.4mm就标识出来。

8.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池片外观划痕缺陷检测的方法，其特征在于： 在所述步骤2-5中，根据缺陷的灰度值grayvalue筛选缺陷，灰度范围在0-180范围内。