[发明专利]闪存转换层的管理方法、装置及计算机可读存储介质

说明书

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术领域，尤其涉及一种闪存转换层的管理方法、装置及计算机可读存储介质。

背景技术

闪存颗粒Nand flash主要有许多的块单元组成，每个块包括若干个页。块是擦除最小单位，页是读写最小单位。一般地，Nand flash在写操作之前必须先执行擦除操作，而且Nand flash总的擦除次数有限。例如，MLC(Triple Level Cell，2阶单元)颗粒的擦除次数大概为3000次，TLC(Triple Level Cell，3阶单元)的擦除次数大概为500次。为了最大化闪存使用寿命，必须均衡擦除每个块。而且，块单元在多次进行读操作以后，也会导致错误比特位增多，如果不进行处理，最终导致ECC纠不回来。

针对Nand flash的上述特性，EMMC(Embedded Multi Media Card，嵌入式多媒体存储器)需要通过FTL进行相应的改善，使得闪存存储器更加接近于虚拟的磁盘。闪存转换层(Flash translation layer，FTL)的基本功能包括地址映射、垃圾回收、损耗均衡以及读取回收等。通常FTL在实现这些功能时，每个操作都是相互独立。这样无疑使得FTL变得臃肿而复杂。并且有可能几个操作同时执行会互相干扰。

发明内容

本发明提供一种闪存转换层的管理方法、装置及计算机可读存储介质，以解决闪存转换层在执行大容量擦除操作时需要多次保存映射表的问题，实现高效率的数据擦除。

第一方面，本发明实施例提供了一种用于闪存转换层的擦除方法，该方法包括：根据各操作预设的优先级确定当前要执行的目标操作，并确定出与所述目标操作对应的源块和目的块；

将与所述目标操作对应的数据从所述源块搬移到所述目的块；

其中，所述目标操作包括垃圾回收操作、损耗均衡操作和/或读取回收操作。

进一步的，所述目标操作为垃圾回收操作；

相应地，所述确定出与所述目标操作对应的源块和目的块，包括：

获取写有数据且有效数据最少的块作为源块，将当前被擦除还未写入数据的块作为目的块。

进一步的，所述目标操作为所述损耗均衡操作；所述损耗均衡操作包括动态损耗均衡或静态损耗均衡；

相应地，所述确定出与所述目标操作对应的源块和目的块，包括：

获取写有数据且擦除次数较大的块作为与所述动态损耗均衡对应的源块，将当前被擦除还未写入数据且擦除次数较小的块作为所述动态损耗均衡对应的目的块；或者，

获取写有数据且擦除次数较小的块作为与所述静态损耗均衡对应的源块，将当前被擦除还未写入数据且擦除次数较大的块作为所述静态损耗均衡对应的目的块。

进一步的，所述目标操作为读取回收操作；

相应地，所述确定出与所述目标操作对应的源块和目的块，包括：

获取写有数据且错误比特位较多的块作为源块，将错误比特位较少的块作为目的块。

进一步的，在所述将与所述目标操作对应的数据从所述源块搬移到所述目的块之后，还包括：

根据所述源块和目的块之间的对应关系以及所述源块与各逻辑地址之间的对应关系，更新各逻辑地址与物理地址之间的映射关系。

第二方面，本发明实施例还提供了一种用于闪存转换层的擦除装置，该装置包括：

操作确定模块，用于根据各操作预设的优先级确定当前要执行的目标操作，并确定出与所述目标操作对应的源块和目的块；

数据搬移模块，用于将与所述目标操作对应的数据从所述源块搬移到所述目的块；

其中，所述目标操作包括垃圾回收操作、损耗均衡操作和/或读取回收操作。

进一步的，所述目标操作为垃圾回收操作；

相应地，所述操作确定模块用于：

获取写有数据且有效数据最少的块作为源块，将当前被擦除还未写入数据的块作为目的块。

进一步的，所述目标操作为所述损耗均衡操作；所述损耗均衡操作包括动态损耗均衡或静态损耗均衡；

相应地，所述操作确定模块用于：

获取写有数据且擦除次数较大的块作为与所述动态损耗均衡对应的源块，将当前被擦除还未写入数据且擦除次数较小的块作为所述动态损耗均衡对应的目的块；或者，

获取写有数据且擦除次数较小的块作为与所述静态损耗均衡对应的源块，将当前被擦除还未写入数据且擦除次数较大的块作为所述静态损耗均衡对应的目的块。

进一步的，所述目标操作为读取回收操作；