[发明专利]一种半导体器件结终端扩展结构及制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件结终端扩展结构，其特征在于，所述半导体器件结终端扩展结构至少包括：

衬底；

位于所述衬底上的外延层；

从所述外延层表面延伸至所述外延层内部的主结；以及

掺杂浓度沿所述主结中心向边缘方向连续递减的结终端扩展结构，所述结终端扩展结构从所述外延层表面延伸至所述外延层内部，且位于所述主结的侧壁；

其中，所述衬底及所述外延层具有第一导电类型，所述主结及所述结终端扩展结构具有第二导电类型。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结终端扩展结构，其特征在于：所述主结深度大于所述结终端扩展结构的深度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结终端扩展结构，其特征在于：所述第一导电类型为P型掺杂，所述第二导电类型为N型掺杂。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结终端扩展结构，其特征在于：所述第一导电类型为N型掺杂，所述第二导电类型为P型掺杂。

5.根据权利要求3或4所述的半导体器件结终端扩展结构，其特征在于：所述衬底的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度，所述主结的掺杂浓度大于所述结终端扩展结构的掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结终端扩展结构，其特征在于：所述结终端扩展结构环绕于所述主结的四周边缘。

7.根据权利要求1所述的半导体器件结终端扩展结构，其特征在于：所述结终端扩展结构的掺杂图形所占的面积从所述主结的中心向边缘方向呈连续递减分布。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结终端扩展结构，其特征在于：所述掺杂图形为均匀分布于所述主结四周边缘的若干梯形开口，各梯形开口的两条平行边与所述主结的边缘平行，且靠近所述主结的平行边的长度大于远离所述主结的平行边的长度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件结终端扩展结构，其特征在于：所述结终端扩展结构的掺杂浓度沿所述主结中心向边缘方向连续线性递减。

10.根据权利要求9所述的半导体器件结终端扩展结构，其特征在于：所述结终端扩展结构的掺杂浓度满足如下关系：

D′=(aa+c-a-ba+c·h′h)D]]>

其中，D’为距所述主结边缘距离h’处的掺杂浓度，a为所述梯形开口靠近所述主结的平行边的长度，b为所述梯形开口远离所述主结的平行边的长度，c为相邻两梯形开口在所述主结边缘的间距，h为所述梯形开口的高度，h’为距所述主结边缘的距离，D为注入掺杂浓度。

11.一种半导体器件结终端扩展结构的制备方法，其特征在于，所述半导体器件结终端扩展结构至少包括：

步骤S1：提供一衬底，于所述衬底上形成外延层，于所述外延层中形成主结；

步骤S2：于所述主结的边缘形成掺杂图形，所述掺杂图形所占的面积从所述主结的中心向边缘方向呈连续递减分布；

步骤S3：于各梯形开口中注入离子，并进行高温退火处理，以形成环绕于所述主结四周的环形结终端扩展结构，所述结终端扩展结构的掺杂浓度沿所述主结中心向边缘方向连续递减。

12.根据权利要求11所述的半导体器件结终端扩展结构的制备方法，其特征在于：步骤S1中，提供一N型衬底，于所述N型衬底上外延生长N型外延层，通过离子注入于所述N型外延层中形成所述P型主结。