[发明专利]一种基于位错减少辐照损伤的方法

权利要求书

1.一种基于位错减少辐照损伤的方法，其特征在于：对硅材料及器件的表面进行高能粒子注入，对高能粒子注入后的硅材料及器件进行退火操作；注入的高能粒子用于破坏硅晶格，在所述硅材料及器件中产生密度与位置可控的位错，作为复合中心减小辐照产生的电子-空穴对以此来减少辐照损伤。

2.根据权利要求1所述的基于位错减少辐照损伤的方法，其特征在于：所述高能粒子为质子、中子或γ射线中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的基于位错减少辐照损伤的方法，其特征在于：所述注入的高能粒子的剂量范围为 5×1015cm-2至 5×1017cm-2。

4.根据权利要求1所述的基于位错减少辐照损伤的方法，其特征在于：所述高能粒子注入的能量强度范围为5MeV至60MeV。

5.根据权利要求1所述的基于位错减少辐照损伤的方法，其特征在于：所述位错生成的密度与深度由高能粒子束的能量强度及注入角度控制；当高能粒子束能量强度较低时，位错主要存在于辐照区域表面，所引入的位错密度较低；当高能粒子束强度较高时，位错贯穿辐照区域内部，位错密度较大。

6.根据权利要求1所述的基于位错减少辐照损伤的方法，其特征在于：所述高能粒子的束斑直径为0.1mm至100mm。

7.根据权利要求1所述的基于位错减少辐照损伤的方法，其特征在于：注入高能粒子区域的大小由高能粒子束束斑控制，调节高能粒子束的束斑形状与面积，注入区域的形状和大小也随之改变，未注入高能粒子的区域将不引入位错。

8.根据权利要求1所述的基于位错减少辐照损伤的方法，其特征在于：注入的高能粒子为单束，或多束。

9.根据权利要求1所述的基于位错减少辐照损伤的方法，其特征在于：所述退火操作在800℃至1000℃的范围内进行，退火时间是5-15小时。