[发明专利]一种双色LED芯片

权利要求书

1.一种双色LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：衬底层(11)、蓝光结构、绿光结构、上电极(21)和下电极(22)；其中，

所述蓝光结构位于所述衬底层(11)上，所述绿光结构嵌入所述蓝光结构内，所述上电极(21)分别位于所述蓝光结构和所述绿光结构上，所述下电极(22)位于所述蓝光结构上。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述蓝光结构包括：

第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一有源层(104)、第一p型AlGaN阻挡层(105)、第一p型GaN层(106)，其中，

所述第一GaN缓冲层(101)、所述第一GaN稳定层(102)、所述第一n型GaN层(103)、所述第一有源层(104)、所述第一p型AlGaN阻挡层(105)、所述第一p型GaN层(106)依次层叠设置于所述衬底层(11)上。

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述第一有源层(104)为InGaN/GaN多量子阱结构。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，绿光结构包括：

第二GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二有源层(204)、第二p型AlGaN阻挡层(205)、第二p型GaN层(206)、SiO₂隔离层(12)，其中，

所述第二GaN缓冲层(201)的底部位于所述第一GaN稳定层(102)内，所述第二GaN稳定层(202)、所述第二n型GaN层(203)、所述第二有源层(204)、所述第二p型AlGaN阻挡层(205)、所述第二p型GaN层(206)依次层叠设置于所述第二GaN缓冲层(201)上；

以出光方向为向上方向，所述SiO₂隔离层(12)位于所述第二GaN缓冲层(201)、所述第二GaN稳定层(202)、所述第二n型GaN层(203)、所述第二有源层(204)、所述第二p型AlGaN阻挡层(205)、所述第二p型GaN层(206)四周且所述SiO₂隔离层(12)底部位于所述第一GaN稳定层(102)内。

5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述第二有源层(204)为InGaN/AlGaN多量子阱结构。

6.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述第二有源层(204)为InGaN/GaN多量子阱结构。

7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述InGaN/GaN多量子阱结构中In的含量为20％～30％。

8.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述第一p型GaN层(106)、所述第一GaN稳定层(102)和所述第二p型GaN层(206)上均设置有SiO₂层(107)。

9.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一p型GaN层(106)和所述第二p型GaN层(206)上依次层叠设置有增透膜(1001)和荧光薄膜(1002)。

10.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述衬底层(11)为蓝宝石衬底。