[发明专利]一种芯片倒装开封方法在审

申请号：	201711382362.1	申请日：	2017-12-20
公开（公告）号：	CN109950156A	公开（公告）日：	2019-06-28
发明（设计）人：	汤剑波;张伟;王意	申请（专利权）人：	海太半导体（无锡）有限公司
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56
代理公司：	无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262	代理人：	赵华
地址：	214028 江苏省无***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	芯片表面开封滴管清水冲洗芯片倒装胶水层去除芯片侧面结构产品工序发烟硝酸基板表面基板材料品质保证器件正面芯片焊点胶水测量基氢氟酸刻蚀加热打磨重复
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【说明书】：

本发明提供一种芯片倒装开封方法，其特征是，所开封方法包括如下步骤：(1)用X射线检查器件正面和侧面结构，得到芯片及芯片焊点版图，并测量基板厚度；(2)用打磨的方式去除基板材料，露出胶水层；(3)将产品加热至90～100℃；(4)用滴管吸取发烟硝酸滴在基板表面，刻蚀掉芯片表面的胶水及PIQ；(5)清水冲洗芯片后再次重复多次上述步骤；(6)用滴管吸取氢氟酸滴在芯片表面，反应10～15S,反应结束后用清水冲洗；(7)芯片表面进行干燥。本发明提高开封速率，有效去除胶水层及PIQ层，为后期产品工序提高品质保证。

技术领域

本发明主要涉及半导体领域，尤其涉及一种芯片倒装开封方法。

背景技术

现有产品大部分采用芯片倒装结构，芯片表面上方被胶水和基板覆盖，完全开封时，在时间和温度的共同作用下，胶水和芯片表面的 PIQ层被完全融化，芯片和基板分离，可以得到干净的芯片表面，但是孔开盖进行时，由于时间较短，温度也无法达到，胶水和芯片表面的PIQ无法完全融化，残留在芯片表面，影响样品的观察。

已公开中国发明专利：半导体硅平板芯片台面旋转腐蚀酸及台面旋转腐蚀工艺，申请号：CN201410538163.5，申请日：20141013，公开了一种半导体硅平板芯片台面旋转腐蚀酸及台面旋转腐蚀工艺，旋转腐蚀酸由发烟硝酸、氢氟酸、冰乙酸按比例混合而成，工艺使用旋转腐蚀机进行旋转腐蚀。本发明成功取得了一种半导体硅平板功率芯片台面旋转腐蚀工艺技术,运用该技术具有较好的环保等社会效益及良好的经济效益。

由于发烟硝酸和胶水及PIQ的反应比较慢，短暂的滴酸无法干净地腐蚀胶水和PIQ，但是又不能长时间进行，因为发烟硝酸和芯片下方EMC的反应非常快，EMC完全腐蚀后镊子会碰到样品表面，造成人为损伤。

发明内容

本发明提供一种芯片倒装开封方法，针对现有技术的上述缺陷，提供一种芯片倒装开封方法，其特征是所述的开封方法包括如下步骤：

(1)用X射线检查器件正面和侧面结构，得到芯片及芯片焊点版图，并测量基板厚度；

(2)用打磨的方式去除基板材料，露出胶水层；

(3)将产品加热至90～100℃；

(4)用滴管吸取发烟硝酸滴在基板表面，刻蚀掉芯片表面的胶水及PIQ；

(5)清水冲洗芯片后再次重复多次上述步骤；

(6)用滴管吸取氢氟酸滴在芯片表面，反应10～15S,反应结束后用清水冲洗；

(7)芯片表面进行干燥。

优选的，所述产品加热至90℃。

优选的，所述氢氟酸滴在芯片表面的容量为0.1～0.2ml。