[发明专利]一种芯片倒装开封方法在审
| 申请号： | 201711382362.1 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109950156A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 汤剑波;张伟;王意 | 申请（专利权）人： | 海太半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人： | 赵华 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片表面 开封 滴管 清水冲洗 芯片倒装 胶水层 去除 芯片 侧面结构 产品工序 发烟硝酸 基板表面 基板材料 品质保证 器件正面 芯片焊点 胶水 测量基 氢氟酸 刻蚀 加热 打磨 重复 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片倒装开封方法，其特征是：所述的开封方法包括如下步骤：
(1)用X射线检查器件正面和侧面结构，得到芯片及芯片焊点版图，并测量基板厚度；
(2)用打磨的方式去除基板材料，露出胶水层；
(3)将产品加热至90～100℃；
(4)用滴管吸取发烟硝酸滴在基板表面，刻蚀掉芯片表面的胶水及PIQ；
(5)清水冲洗芯片后再次重复多次上述步骤；
(6)用滴管吸取氢氟酸滴在芯片表面，反应10～15S,反应结束后用清水冲洗；
(7)芯片表面进行干燥。
2.根据权利要求1所述的一种芯片倒装开封方法，其特征在于：所述产品加热至90℃。
3.根据权利要求2所述的一种芯片倒装开封方法，其特征在于：所述氢氟酸滴在芯片表面的容量为0.1～0.2ml。
4.根据权利要求3所述的一种芯片倒装开封方法，其特征在于：所述氢氟酸反应时间为12S。
5.根据权利要求4所述的一种芯片倒装开封方法，其特征在于：所述X射线定位芯片的位置、数量及芯片焊点的版图。
6.根据权利要求5所述的一种芯片倒装开封方法，其特征在于：所述打磨基板通过砂纸完成。
7.根据权利要求6所述的一种芯片倒装开封方法，其特征在于：所述芯片滴氢氟酸后，应在2～3秒内将样品芯片朝下放入丙酮溶液中进行超声清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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