[发明专利]空穴注入材料及其制备方法和QLED器件

说明书

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种空穴注入材料及其制备方法和QLED器件。该空穴注入材料包括p型ZnO，所述p型ZnO为磷掺杂ZnO纳米材料，且所述p型ZnO表面修饰有脂肪酸。该空穴注入材料提高了p型ZnO纳米材料的受主能级，减小ZnO的禁带宽度，抑制了自补偿效应，从而提高空穴的注入能力，促进电子‑空穴有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，从而提高QLED器件的发光性能。

技术领域

本发明属于量子点领域，具体涉及一种空穴注入材料及其制备方法和 QLED器件。

背景技术

ZnO是一种直接带隙的n型半导体材料，具有3.37eV的宽禁带和3.7eV 的低功函，这种能带结构特点决定了ZnO可成为合适的电子传输层材料；同时其良好的导电性、高可见光透过率、优异的水氧稳定性以及成熟的制备工艺使其在溶液工艺的光电器件中有着越来越出色的表现。

ZnO在光电领域的应用依赖于高质量的n型和p型薄膜的制备。目前人们通过掺杂己经获得了具有较好电学性能的n型ZnO。然而本征ZnO在内部容易产生各种施主型缺陷，发生自补偿作用使得p型ZnO薄膜难以制备，这种情况很大程度上限制了ZnO薄膜在光电器件方面的发展，因此如何进行掺杂获得高质量的p型ZnO薄膜一直是ZnO研究领域的难点和热点。因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种空穴注入材料及其制备方法和QLED器件，旨在解决现有技术无法形成高质量的p型ZnO的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种空穴注入材料，包括p型ZnO，所述p型ZnO为磷掺杂ZnO纳米材料，且所述p型ZnO表面修饰有脂肪酸。

相应地，一种空穴注入材料的制备方法，包括如下步骤：

提供锌盐和磷酸盐；

将所述锌盐和磷酸盐溶于有机溶剂中，在第一碱性条件下进行第一加热处理，得磷掺杂氧化锌晶体溶液；

提供脂肪酸，将所述脂肪酸加入所述磷掺杂氧化锌晶体溶液中，在第二碱性条件下进行第二加热处理得前驱体溶液；

将所述前驱体溶液置于基片上，进行退火处理得所述空穴注入材料。

本发明另一方面提供一种QLED器件，包括空穴注入层，所述空穴注入层为本发明的上述空穴注入材料。

相应地，一种QLED器件的制备方法，所述QLED器件为正置型QLED器件，且所述QLED器件包括空穴注入层，所述制备方法包括如下步骤：

提供基板，所述基板上设置有阳极；

利用本发明的上述空穴注入材料的制备方法在所述阳极上制备空穴注入材料，形成所述空穴注入层。

或者，一种QLED器件的制备方法，所述QLED器件为反置型QLED器件，且所述QLED器件包括空穴注入层，所述制备方法包括如下步骤：

提供基板，所述基板上设置有量子点发光层；

利用本发明的上述空穴注入材料的制备方法在所述量子点发光层上制备空穴注入材料，形成所述空穴注入层。