[发明专利]一种黑硅制绒方法

说明书

本发明公开了一种黑硅制绒方法，该方法具体实施步骤如下：将硅片放在加有高纯纳米级二氧化硅颗粒（固相/气相均包含在内）的硝酸和氢氟酸的混合溶液，使硅片表面沉积纳米级高纯二氧化硅颗粒；依次经过硝酸和氢氟酸的混合溶液、去离子水、氧化钾溶液、去离子水、氢氟酸和盐酸的混合溶液、去离子水清洗；最后使用热风进行烘干。本发明的有益效果是有效地降低硅片反射率，形成规则的纳米级绒面，提高太阳能电池片的转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳电池制造领域，特别涉及一种黑硅制绒方法。

背景技术

在现有的硅片制绒技术中，普遍采用酸式制绒法，即依次通过硝酸和氢氟酸的混合液制绒、水洗、碱溶液、水洗、氢氟酸和盐酸混合液、水洗和烘干，实现在硅片表面制备蠕虫状的坑洞绒面。随着对晶硅太阳能电池片降低成本方面的不断深化研究，金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片的成本，但是采用上述传统的酸制绒技术导致制备的绒面反射率较高，光吸收能力降低，影响制备出的电池片的光电转换效率。

发明内容

本发明的目的是提供一种黑硅制绒方法，达到降低硅片反射率，形成规则的纳米级绒面，提高太阳能电池片的转换效率。

为实现上述目的，本发明提供一种黑硅制绒方法，该方法具体实施步骤如下：

a、将硅片放在加有高纯纳米级二氧化硅颗粒A （固相/气相均包含在内）的硝酸和氢氟酸的混合溶液B中100～180秒，使硅片表面沉积纳米级高纯二氧化硅颗粒；其中高纯纳米级二氧化硅颗粒A的碳粉颗粒度为0.1～10nm，硅片表面沉积纳米级高纯二氧化硅颗粒A的厚度为2～8nm，混合溶液B中硝酸与氢氟酸的体积比例为：2:1：4:1，硝酸的体积比溶度为40～60%，氢氟酸的浓度为10～30%,溶液温度20～25℃。

b、使用硝酸和氢氟酸的混合溶液C对所述黑硅硅片进行清洗，然后用去离子水对所述硅片进行清洗。

c、使用氢氧化钾溶液D对所述黑硅硅片清洗，然后用去离子水对所述黑硅硅片进行清洗。

d、依次使用氢氟酸和盐酸的混合溶液E对所述黑硅硅片清洗，去离子水对所述黑硅硅片进行清洗。

e、使用热风对所述硅片进行烘干。

本发明的有益效果是有效地降低硅片反射率，形成规则的纳米级绒面，提高太阳能电池片的转换效率。

附图说明

图1为现有技术制备的多晶硅片的绒面图像

图2为采用本发明的技术方案的工艺流程图

图3为采用本发明的技术方案制备的绒面图像

图4为现有技术和本发明制备硅片的反射率对比图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的技术方案作进一步详细地说明。

在本实施方式中，分别采用本发明的技术方案和现有技术的技术方案进行实验，通过实验结果进行对比分析。