[发明专利]电致发光显示装置有效
申请号: | 201711348307.0 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108206201B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 朱明午;郑乐允;尹准浩;崔正默;金俊英 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 显示装置 | ||
电致发光显示装置。一种电致发光显示装置,所述电致发光显示装置包括:在基板上沿着第一方向布置的第一像素和第二像素;第一凹槽,所述第一凹槽位于所述第一像素和所述第二像素的一侧,并且包括沿着所述第一方向延伸的第一部分和与所述第一像素和所述第二像素之间的空间对应的第二部分;以及位于所述第一像素和所述第二像素中的每一个中的发光二极管。
技术领域
本公开涉及一种显示装置,并且更具体地说,涉及一种具有均匀厚度的发光层的电致发光显示装置。
背景技术
作为新型平板显示器的电致发光显示装置是不具有背光单元的自发光型。因此,与其它显示装置(例如液晶显示装置)相比,电致发光显示装置在视角、对比度、薄型、轻重量和功耗方面具有优势。另外,电致发光显示装置可以用低直流电压驱动,并且具有快速的响应时间。而且,电致发光显示装置具有更高的抗冲击性和低生产成本。
图1是现有技术的电致发光显示装置的示意性截面图。如图1所示,现有技术的电致发光显示装置1包括含有像素区域的基板10、在基板10上或上方的驱动TFT Td以及连接到TFT Td的发光二极管。基板10可以是玻璃基板或塑料基板。在基板10上形成半导体层20。半导体层20可以由氧化物半导体材料或多晶硅形成。栅绝缘层26形成在半导体层20上。栅绝缘层26可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料形成。按照对应于半导体层20的中心的方式在栅极绝缘层26上形成由导电材料(例如金属)形成的栅极30。由绝缘材料形成的层间绝缘层36,形成在基板10的整个表面上。层间绝缘层36可以由无机绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光致亚克力(photo-acryl))形成。层间绝缘层36包括暴露半导体层20的两侧的第一接触孔37和第二接触孔38。第一接触孔37和第二接触孔38位于栅极30的两侧以与栅极30间隔开。
在层间绝缘层36上形成由例如金属等导电材料形成的源极40和漏极42。源极40和漏极42相对于栅极30彼此间隔开,并且通过第一接触孔37和第二接触孔38分别接触半导体层20的两侧。半导体层20、栅极30、源极40和漏极42构成驱动TFT Td。
虽然未示出,但是选通线和数据线设置在基板10上或上方并且彼此交叉以限定像素区域。另外,电连接到选通线和数据线的开关元件,以及与选通线或数据线平行且间隔开的电源线可以设置在基板10上或上方。开关元件电连接到作为驱动元件的TFT Tr。此外,可以在基板10上进一步形成用于在一帧期间保持TFT Tr的栅极30的电压的存储电容器。包括暴露驱动TFT Td的漏极42的漏极接触孔52钝化层50形成为覆盖驱动TFT Td。通过漏极接触孔52连接到驱动TFT Td的漏极42的第一电极60单独形成在钝化层50上。另外,具有用于暴露第一电极60的中心的开口并覆盖第一电极60的边缘的堤层70,形成在钝化层50上。在第一电极60上依次形成发光层62和第二电极64。第一电极60,面向第一电极60的第二电极64和第一电极60与第二电极64之间的发光层62构成发光二极管D。
通常,发光层62通过热沉积处理形成。然而,大尺寸显示装置的发光层62在热沉积方面存在限制。因此,可以使用称为溶液处理替代处理,该替代处理使用溶液然后蒸发溶液以固化发光层62。
然而,当通过溶液处理形成发光层62时,像素区域的发光层中的厚度在不同的像素处可能变得不一致,降低了电致发光显示装置的质量和寿命。
发明内容
实施方式涉及一种电致发光显示装置,所述电致发光显示装置包括第一像素、第二像素、第三像素和至少一个凹部。所述第一个像素在所述基板上。所述第二像素在所述基板上并且在第一方向上与所述第一像素分离。所述第三像素在基板上并且在第二方向上与所述第一像素分离。所述第一个像素与所述第三个像素之间至少具有一个凹部。从所述至少一个凹部到所述第一个像素、所述第二个像素和所述第三像素的边缘距离是相同的。
在一个或更多个实施方式中,第二像素在第一方向上与第一像素分开第一边缘距离。所述第三像素在第二方向上与所述第一像素分开第二边缘距离,所述第二边缘距离大于所述第一边缘距离。
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