[发明专利]光电路交换机反射镜阵列裂纹防护有效
申请号: | 201711338639.0 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108345105B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 凯文·Y·亚苏穆拉 | 申请(专利权)人: | 谷歌有限责任公司 |
主分类号: | G02B26/08 | 分类号: | G02B26/08 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 周亚荣;安翔 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 交换机 反射 阵列 裂纹 防护 | ||
1.一种MEMS反射镜组件,包括:
反射镜衬底,所述反射镜衬底限定致动器、万向架结构、以及反射镜切口的部分,所述反射镜切口具有内周边;
具有反射表面的反射镜,所述反射镜位于所述反射镜衬底的所述反射镜切口之内并通过至少一个定子与所述反射镜衬底相耦合,其中:
所述反射镜由所述万向架结构支撑,
所述反射镜具有限定所述反射镜的主反射平面的平的表面,
当所述反射镜的所述主反射平面与所述反射镜衬底平行时,所述反射镜的周边与所述反射镜切口的所述内周边除了在所述至少一个定子处之外围绕整个所述反射镜的整个周边隔开一间隙,
除了在所述至少一个定子处以及在被限定在所述反射镜衬底和所述反射镜中的至少一个中的多个截口处之外,所述间隙的大小围绕所述反射镜的周边是恒定的,其中,每个截口包括在所述反射镜衬底和所述反射镜之间的所述间隙向所述反射镜衬底或所述反射镜之中的延伸,并且每个截口具有介于50微米至200微米之间的长度以及介于50微米至100微米之间的宽度,并且其中,至少一个截口被限定在所述万向架结构中并包括所述间隙向所述万向架结构之中的延伸。
2.根据权利要求1所述的MEMS反射镜组件,其中,至少一个截口在所述反射镜中被限定为与所述至少一个定子紧邻并包括所述间隙向所述反射镜之中的延伸。
3.根据权利要求1所述的MEMS反射镜组件,其中,至少一个截口被限定在所述反射镜中并包括所述间隙向所述反射镜之中的延伸。
4.根据权利要求1所述的MEMS反射镜组件,其中,至少一个截口被限定在所述反射镜衬底和所述反射镜中并包括所述间隙向所述反射镜衬底和所述反射镜之中的延伸。
5.根据权利要求1所述的MEMS反射镜组件,其中,所述截口的形状为椭圆形。
6.根据权利要求1所述的MEMS反射镜组件,其中,所述截口在与所述反射镜的周边相切的方向上的长度与所述反射镜衬底的厚度之比小于或等于4:1,并且所述截口在所述反射镜的径向尺寸上的宽度与所述反射镜衬底的厚度之比介于1:1与2:1之间。
7.根据权利要求1所述的MEMS反射镜组件,其中,所述截口围绕所述反射镜的周边被限定并且所述至少一个定子中的每一个与至少一个截口紧邻。
8.根据权利要求7所述的MEMS反射镜组件,其中,所述截口被以90度的间隔围绕所述反射镜的周边被限定。
9.根据权利要求7所述的MEMS反射镜组件,其中,所述截口被以60度的间隔围绕所述反射镜的周边被限定。
10.根据权利要求1所述的MEMS反射镜组件,其中,所述反射镜衬底包括上硅层和下硅层,并且所述截口的大小被确定为使得它们大于穿过所述MEMS反射镜组件的上硅层和下硅层而限定的最小开口。
11.一种用于制造MEMS反射镜组件的方法,包括:
在基板衬底中限定腔;
使反射镜衬底与所述基板衬底相耦合以使得所述反射镜衬底的第一侧面向所述基板衬底中的所述腔;
在所述反射镜衬底中限定MEMS致动器、万向架结构、以及MEMS反射镜的部分以使得所述MEMS反射镜的第一侧面向所述基板衬底中的所述腔并且所述反射镜衬底的一部分与所述反射镜隔开一间隙并且在所述反射镜衬底和所述反射镜中的至少一个中限定一个或多个截口,其中,每个所述截口包括在所述反射镜衬底和所述反射镜之间的所述间隙向所述反射镜衬底或所述反射镜之中的延伸,并且每个截口具有介于50微米至200微米之间的长度以及介于50微米至100微米之间的宽度,并且其中,至少一个截口被限定在所述反射镜衬底和所述反射镜中并且包括所述间隙向所述万向架结构和所述反射镜之中的延伸;以及
在与所述MEMS反射镜的第一侧相对的所述MEMS反射镜的第二侧上布置反射材料。
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