[发明专利]光子晶体薄膜的制备方法在审
申请号: | 201711335135.3 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN107934971A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 叶常青 | 申请(专利权)人: | 苏州中科纳福材料科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/155 | 分类号: | C01B33/155;C01B33/18 |
代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32295 | 代理人: | 叶栋 |
地址: | 215024 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光子 晶体 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种光子晶体薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、提供正硅酸乙酯、无水乙醇以及氨水;
S2、将所述正硅酸乙酯、无水乙醇以及氨水通过溶胶-凝胶法制备得到单分散二氧化硅颗粒;
S3、将所述单分散二氧化硅颗粒加入至所述无水乙醇中,超声分散或搅拌,得到二氧化硅乳浊液;
S4、对所述二氧化硅乳浊液进行高压过滤,得到所述光子晶体薄膜。
2.如权利要求1所述的光子晶体薄膜的制备方法,其特征在于,所述单分散二氧化硅颗粒的粒径为0.5至1μm。
3.如权利要求1所述的光子晶体薄膜的制备方法,其特征在于,在保护性气氛中对所述二氧化硅乳浊液进行所述高压过滤处理。
4.如权利要求3所述的光子晶体薄膜的制备方法,其特征在于,所述高压过滤的具体步骤包括:
在保护性气氛中将所述二氧化硅乳浊液升温到40至80℃,并在大于等于0.1MPa的压力下过滤;
之后保持温度和压强直至薄膜和过滤材料干燥,降温泄压并将形成的光子晶体薄膜与过滤材料分离。
5.如权利要求4所述的光子晶体薄膜的制备方法,其特征在于,用于形成所述保护性气氛的气体选自包括氮气、氩气、空气或氦气中的任意一种或多种。
6.如权利要求4所述的光子晶体薄膜的制备方法,其特征在于,所述过滤材料选自包括纤维素滤纸、聚丙烯滤膜、聚乙烯滤膜、尼龙滤膜、聚醚砜滤膜、玻璃纤维滤膜、聚酯滤膜、聚偏氟乙烯滤膜、聚四氟乙烯滤膜或陶瓷滤膜中的任意一种。
7.如权利要求4或6所述的光子晶体薄膜的制备方法,其特征在于,所述过滤材料具有滤孔,所述滤孔的孔径为0.1至0.5μm。
8.如权利要求1所述的光子晶体薄膜的制备方法,其特征在于,在所述二氧化硅乳浊液中,所述单分散二氧化硅颗粒的含量为0.4至0.8wt%。
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