[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 201711313230.3 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN109920795A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 陈延青;谢建云;李伟;李成;郭攀;李岩锋;秦伟达;王宁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 牛南辉;李峥 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示区域 边缘像素 阵列基板 像素 透光区域 显示装置 基板 锯齿 显示效果 遮光区域 阵列形式 周边区域 颗粒感 透光率 遮光块 减小 排布 制造 | ||
1.一种阵列基板,包括:
基板,所述基板具有显示区域和围绕所述显示区域的周边区域,所述显示区域具有以阵列形式排布的多个像素,所述像素包括透光区域和遮光区域,其中,位于所述显示区域的最外侧的所述像素构成多个边缘像素;以及
遮光块,位于所述边缘像素的所述透光区域中。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,还包括位于所述基板上且位于所述遮光区域的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括在所述基板上依次设置的有源层、栅极介质层以及栅极电极,所述阵列基板还包括位于所述有源层和所述基板之间的遮光层,其中,所述遮光块与所述遮光层同层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,还包括位于所述基板上且位于所述遮光区域的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层、栅极电极以及所述有源层和所述栅极电极之间的栅极介质层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其中,所述有源层位于所述基板和所述栅极电极之间,其中,所述遮光块与所述栅极电极同层设置。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其中,所述栅极电极位于所述基板和所述有源层之间。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其中,所述遮光块与所述栅极电极同层设置。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其中,所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层上的源/漏电极,所述遮光块与所述源/漏电极同层设置。
8.根据权利要求1-7所述的阵列基板,其中,所述遮光块包括分别覆盖所述边缘像素的透光区域的相对端部的第一部分和第二部分。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其中,所述遮光块还包括位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分。
10.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述遮光块的面积与所述边缘像素的面积的比值被设定为构成等差数列的N个值中的一个,其中,3≤N≤101,所述等差数列的首项为0,末项为100%。
11.一种显示装置,包括根据权利要求1-10中任一项所述的阵列基板。
12.一种用于制造阵列基板的方法,包括:
提供基板,所述基板具有显示区域和围绕所述显示区域的周边区域,所述显示区域具有以阵列形式排布的多个像素,所述像素包括透光区域和遮光区域,其中,位于所述显示区域的最外侧的所述像素构成多个边缘像素;以及
在所述边缘像素的所述透光区域中形成遮光块。
13.根据权利要求12所述的方法,还包括在所述基板上且在所述遮光区域中形成薄膜晶体管,其中,形成所述薄膜晶体管包括:
在所述基板上形成遮光材料层;
构图所述遮光材料层以在所述遮光区域中形成遮光层以及在所述边缘像素的所述透光区域中形成所述遮光块;
在所述遮光层和所述遮光块上形成第一绝缘层;
在所述遮光区域中且在所述第一绝缘层上形成有源层;
在所述有源层上形成作为栅极介质层的第二绝缘层;以及
在所述遮光区域中且在所述第二绝缘层上形成栅极电极。
14.根据权利要求12所述的方法,还包括在所述基板上且在所述遮光区域中形成薄膜晶体管,其中,形成所述薄膜晶体管包括:
在所述基板上且在所述遮光区域中形成有源层;
在所述有源层上形成作为栅极介质层的第三绝缘层;
在所述第三绝缘层上形成第一导电层;以及
构图所述第一导电层以在所述遮光区域中形成栅极电极以及在所述边缘像素的所述透光区域中形成所述遮光块。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的