[发明专利]一种用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器及制备方法

权利要求书

1.一种用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器，包括光电探测器本体(1)，其特征在于：所述光电探测器本体(1)的上部表面通过透明胶层(2)固定连接有LED发光芯片层(3)，所述LED发光芯片层(3)包括第二衬底(33)，所述第二衬底(33)的上部表面通过LED芯片制备工艺制成芯片层(32)，所述芯片层(32)的上部表面固定连接有金属反光层(31)。

2.根据权利要求1所述的一种用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器，其特征在于：所述第二衬底(33)为蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的一种用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器，其特征在于：所述光电探测器本体(1)包括有第一欧姆接触电极层(11)，所述第一欧姆接触电极层(11)上部依次设置有第一衬底(12)、光电转换层(13)、光衰减层(14)和第二欧姆接触电极层(15)。

4.根据权利要求1所述的一种用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器，其特征在于：所述第二衬底(33)为封闭式环形结构。

5.一种权利要求1所述的用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1、制备光电探测器(1)：准备第一衬底(12)，所述第一衬底(12)为N型或P型单晶硅，在第一衬底(12)的上部表面依次外延生长光电转换层(13)、光衰减层(14)及第二欧姆接触电极层(15)，在第一衬底(12)的下部表面生长第一欧姆接触电极层(11)；

S2、制备LED发光芯片层(1)：准备第二衬底(33)，所述第二衬底(33)为厚度450um-800um的蓝宝石衬底，在第二衬底(33)的上部通过LED芯片制备工艺制备成芯片层(32)，且在蓝宝石衬底的下部蒸镀有反光金属层(31)，所述反光金属层(31)为银层；

S3、涂胶：准备透明液体胶，将透明液体胶灌进喷雾腔内，喷涂在LED发光芯片层(1)的蓝宝石衬底(33)的下部表面，同时液体胶层的厚度为0.2-0.3mm；

S4、粘贴：将喷涂有透明液体胶的一侧面黏贴在光电探测器本体(1)的上部表面；

S5、烘干：使用热烘枪对黏贴后的胶水进行烘干，烘干后完成制备。

6.根据权利要求5所述的一种用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述S1步骤中，其中,所述光电转换层(13)与所述第一衬底(12)的材料相同但导电类型相反,所述光衰减层(14)与所述光电转换层(13)的材料相同。

7.根据权利要求5所述的一种用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述S2中提到的LED芯片的制备工艺为外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

8.根据权利要求5所述的一种用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述S3中提到的透明液体胶为高透明耐高温硅胶。

9.根据权利要求5所述的一种用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述S4中提到的粘贴，在粘贴时，LED发光芯片层(3)的发光面的内环侧距离光电探测器本体(1)的有效感应面的距离不大于0.3mm。