[发明专利]一种内嵌flash芯片的基准源修调方法

说明书

本发明提供一种内嵌flash芯片的基准源修调方法，包括：S1、通过ATE测试机对内嵌flash芯片中预设的基本基准源进行修调，获得基本基准源的修调结果；S2、对于所述内嵌flash芯片中其他的任意一个基准源，通过所述内嵌flash芯片自带的比较器，将该基准源的穷举的各修调值与所述基本基准源的修调结果进行对比，将符合预设阈值的修调值作为该基准源的修调结果。本发明实施例通过对内嵌flash芯片测试需求的拆分，实现不同测试需求都达到最大的同测数，通过减少外部ATE测试机测量的次数，达到降低测试时间的目的。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种内嵌flash芯片的基准源修调方法。

背景技术

随着集成电路工艺的进步，芯片的基本单元尺寸越来越小，尤其是占芯片面积比较大比例的存储器部分，内嵌flash芯片到SOC芯片中的flash模块(后面统称内嵌flash芯片)同样在追求着面积的不断小型化，以减少成本。

在大规模量产中，生产出来的内嵌flash芯片因为工艺问题，其基准时钟或基准电压、电流都与实际需要的数值存在偏差，每一个内嵌flash芯片都需要对比基准源进行个性化调整，使其处于可以正常工作的范围内。现有方法是在晶圆测试生产中对内嵌flash芯片所有需要调整的基准，一一进行修调(英文名称：trimming)补偿。

探针卡是一种测试接口，主要对裸芯进行测试，探针卡的两端分别连接ATE测试机和芯片，通过传输信号对芯片参数进行测试。内嵌flash芯片受本身SOC芯片集成度大小的影响，管脚往往较多；受限于低成本的悬臂式探针卡的基础特点，内嵌flash芯片的并测数很难提高，而如果想要提高并测数，则需要采用成本很高的垂直式探针卡，因此在实际生产中，并测效率并不高。

内嵌flash芯片具有一组地址位，每个地址位上的数字为0或1，每组地址位的数据通过芯片算法对应一个模拟增量，ATE测试机需要选出与预期模拟量最接近的模拟增量，然后对该模拟增量对应的地址位进行数据读写操作，但是多次测量模拟量时需要花费很长时间，存在测试效率不高的问题。

发明内容

本发明提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的内嵌flash芯片的基准源修调方法。

根据本发明的一个方面，提供一种内嵌flash芯片的基准源修调方法，包括：

S1、通过ATE测试机对内嵌flash芯片中预设的基本基准源进行修调，获得基本基准源的修调结果；

S2、对于所述内嵌flash芯片中其他的任意一个基准源，通过所述内嵌flash芯片自带的比较器，将该基准源的穷举的各修调值与所述基本基准源的修调结果进行对比，将符合预设阈值的修调值作为该基准源的修调结果。

优选地，所述步骤S1之前还包括：

分拆SOC芯片中内嵌flash芯片的基准源修调测试所需的管脚，作为测试管脚，利用所述测试管脚接收ATE测试机的测试资源。

优选地，所述内嵌flash芯片包含具有若干个地址位的存储器，所述存储器通过不同的地址位构成的地址存储不同的修调值；

相应地，所述步骤S1具体包括：

将ATE测试机与内嵌flash芯片通过管脚连接，获取内嵌flash芯片中预设的基本基准源的初始值；

利用ATE测试机穷举所有地址的组合，获取最接近目标值的修调结果作为所述基本基准源的修调结果，将获得所述修调结果的修调值对应的地址进行读写至所述存储器中。

优选地，所述步骤S2之后还包括：

S3、对所有需要修调的基准源，根据基本基准源的修调结果对应的地址，测量一次电压模拟量进行核对，获知所有需要修调的基准源的修调结果与目标值的差值小于预设阈值。