[发明专利]一种内嵌flash芯片的基准源修调方法

权利要求书

1.一种内嵌flash芯片的基准源修调方法，其特征在于，包括：

S1、通过ATE测试机对内嵌flash芯片中预设的基本基准源进行修调，获得基本基准源的修调结果；

S2、对于所述内嵌flash芯片中其他的任意一个基准源，通过所述内嵌flash芯片自带的比较器，将该基准源的穷举的各修调值与所述基本基准源的修调结果进行对比，将符合预设阈值的修调值作为该基准源的修调结果；

所述步骤S1之前还包括：

分拆SOC芯片中内嵌flash芯片的基准源修调测试所需的管脚，作为测试管脚，利用所述测试管脚接收ATE测试机的测试资源；

所述内嵌flash芯片包含具有若干个地址位的存储器，所述存储器通过不同的地址位构成的地址存储不同的修调值；

相应地，所述步骤S1具体包括：

将ATE测试机与内嵌flash芯片通过管脚连接，获取内嵌flash芯片中预设的基本基准源的初始值；

利用ATE测试机穷举所有地址的组合，获取最接近目标值的修调结果作为所述基本基准源的修调结果，将获得所述修调结果的修调值对应的地址进行读写至所述存储器中。

2.如权利要求1所述的基准源修调方法，其特征在于，所述步骤S2之后还包括：

S3、对所有需要修调的基准源，根据基本基准源的修调结果对应的地址，测量一次电压模拟量进行核对，获知所有需要修调的基准源的修调结果与目标值的差值小于预设阈值。

3.如权利要求2所述的基准源修调方法，其特征在于，所述基准源包括电压基准源、电流基准源、频率基准源中的一种或多种。