[发明专利]集成电路器件

说明书

一种集成电路(IC)器件包括至少一个标准单元。该至少一个标准单元包括：第一有源区和第二有源区，分别设置在虚设区域的两侧的每个上，第一有源区和第二有源区具有不同的导电类型并在第一方向上延伸；第一栅线和第二栅线，在垂直于第一方向的第二方向上平行于彼此延伸跨过第一有源区和第二有源区；第一旁路互连结构，配置为电连接第一栅线与第二栅线；以及第二旁路互连结构，配置为电连接第二栅线与第一栅线。第一旁路互连结构和第二旁路互连结构包括在第一方向上延伸的下互连层、在第二方向上延伸的上互连层以及接触通路。

技术领域

根据本发明构思的示范性实施方式的装置和方法涉及集成电路(IC)器件，更具体地，涉及包括至少一个标准单元的IC器件。

背景技术

由于电子产品趋向于重量轻、薄且小，对于高度集成的半导体器件的需求正在增长。随着半导体器件的最近的等比例缩小，包括在IC器件中的标准单元的高度已经减小。在包括交叉耦合结构的IC器件中，会要求能够除去工艺风险图案而没有违反设计原则的布局以实现具有减小的高度的标准单元。

发明内容

示范性实施方式提供包括设计为具有减小的尺寸的至少一个标准单元的集成电路(IC)器件。

示范性实施方式还提供包括设计为除去工艺风险图案(或在光刻图案化工艺期间具有改变其形状的风险的图案，诸如对角形的图案或异常形状的图案)的至少一个标准单元的IC器件。

根据示范性实施方式的方面，提供一种包括至少一个标准单元的IC器件。至少一个标准单元可以包括：分别设置在虚设区域的两侧的每个上的第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区具有不同的导电类型并在第一方向上延伸；第一栅线和第二栅线，在垂直于第一方向的第二方向上跨过第一有源区和第二有源区平行于彼此延伸，其中第一栅线包括第一栅线的第一部分和第一栅线的第二部分，并且其中第二栅线包括第二栅线的第一部分和第二栅线的第二部分；第一旁路互连结构，配置为电连接第一栅线的在第一有源区上的第一部分与第二栅线的在第二有源区上的第二部分；以及第二旁路互连结构，配置为电连接第二栅线的在第一有源区上的第一部分与第一栅线的在第二有源区上的第二部分。第一和第二旁路互连结构包括在第一方向上延伸的下互连层、在第二方向上延伸的上互连层以及在第一有源区和第二有源区中的至少一个上以连接下互连层与上互连层的接触通路。

根据示范性实施方式的一方面，提供一种IC器件，该IC器件可以包括：第一有源区和第二有源区，分别设置在虚设区域的两侧的每个上，第一有源区和第二有源区具有不同的导电类型并在第一方向上延伸；第一下栅线和第二下栅线，在第一有源区上在垂直于第一方向的第二方向上平行于彼此延伸；第一上栅线和第二上栅线，在第二有源区上在第二方向上延伸并平行于彼此布置，第一上栅线和第二上栅线分别与第一下栅线和第二下栅线间隔开设置；第一旁路互连结构，配置为电连接第一下栅线与第二上栅线；以及第二旁路互连结构，配置为电连接第二下栅线与第一上栅线。第一和第二旁路互连结构包括具有在第一方向上延伸的单向结构的下互连层、具有在第二方向上延伸的单向结构的上互连层以及在第一有源区和第二有源区中的至少一个上以连接下互连层与上互连层的接触通路。