[发明专利]一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种凹槽阳极肖特基二极管，包含衬底，形成于衬底上的外延层，形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽，以及形成于外延层上的阳极和阴极，其中：阳极形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽上，使阳极表面具有阳极凹槽图形。

2.如权利要求1所述的凹槽阳极肖特基二极管，其中，所述阳极凹槽图形是不连续图形，图形尺寸为纳米级到微米级。

3.如权利要求2所述的凹槽阳极肖特基二极管，其中，所述不连续图形是规则点阵、不规则点阵、平行不连续线条、和/或不规则不连续线条。

4.如权利要求1所述的凹槽阳极肖特基二极管，其中，所述外延层具有横向导电性，能够用于制作平面肖特基二极管。

5.如权利要求1所述的凹槽阳极肖特基二极管，其中，所述阳极和阴极为导体，该导体采用金属镍、铝、金、铂、钛、钯、铬、铜、钨及其复合金属体系。

6.一种凹槽阳极肖特基二极管的制作方法，其中，该方法包括：

提供一个具有横向导电性的外延片；

在外延片表面的阳极区域制作阳极凹槽；以及

在外延片表面阳极区域的阳极凹槽上制作阳极电极，在外延片表面阴极区域制作阴极电极。

7.如权利要求6所述制作方法，其中，所述在外延片表面的阳极区域制作阳极凹槽，是在外延片表面制作图形掩膜，然后对外延片进行干法刻蚀或湿法腐蚀，从而在外延片表面的阳极区域形成凹槽，之后去除图形掩膜，得到阳极凹槽。

8.根据权利要求6中所述的制作方法，其中，所述在外延片表面阳极区域的阳极凹槽上制作阳极电极，以及在外延片表面阴极区域制作阴极电极，均是采用溅射法或蒸镀法在外延片表面形成导体层，然后通过干法刻蚀、湿法腐蚀或剥离的方法对导体层进行图形化，得到阳极电极或阴极电极。