[发明专利]一种NANDflash后端工艺中空气间隙的制造方法

权利要求书

1.一种NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供一具有金属互连结构的半导体衬底，所述半导体衬底具有单元区和外围区；

步骤S2、形成第一介质层，所述第一介质层覆盖在所述半导体衬底的上表面；

步骤S3、形成图案化的第一掩膜层，使所述第一掩膜层覆盖在所述第一介质层的上表面；

步骤S4、刻蚀所述第一介质层，以在所述第一介质层中形成第一通孔；

步骤S5、刻蚀所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成第二通孔；

步骤S6、去除所述第一掩膜层，形成第二介质层，使所述第二介质层覆盖在所述第一介质层的上表面以及填充所述第一通孔，使所述第二通孔成为空气间隙。

2.根据权利要求1所述的NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述外围区上方的所述第一掩膜层的开口大于所述单元区上方的所述第一掩膜层的开口。

3.根据权利要求1中所述的NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述外围区上方的所述第一介质层中的所述第一通孔的尺寸大于所述单元区上方的所述第一介质层中的所述第一通孔的尺寸。

4.根据权利要求1所述的NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，其特征在于，所述第二介质层的材料为低介电常数物质、氧化硅或氮氧化硅中的一种或几种的组合。

5.根据权利要求1所述的NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，其特征在于，所述步骤S4中，利用干法刻蚀对所述第一介质层进行刻蚀。

6.根据权利要求1所述的NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，其特征在于，所述步骤S5中，利用干法刻蚀对所述半导体衬底进行刻蚀。

7.根据权利要求1所述的NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：

步骤S7、形成图案化的第二掩膜层，使所述第二掩膜层覆盖在所述第二介质层的上表面；

步骤S8、刻蚀所述第二介质层，以在所述第二介质层中形成第三通孔；

步骤S9、去除所述第二掩膜层。

8.根据权利要求7所述的NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，其特征在于，所述步骤S7中，仅在所述外围区上方的所述第二掩膜层具有开口。

9.根据权利要求8所述的NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，其特征在于，所述步骤S8中，所述第三通孔位于所述第一通孔内。

10.根据权利要求9所述的NAND flash后端工艺中空气间隙的制造方法，其特征在于，所述步骤S8中，在所述外围区上方，所述第三通孔的尺寸小于所述第一通孔的尺寸。