[发明专利]用于显示器的混合LED发光体

权利要求书

1.一种用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，包括：

一个基板；

外延垒晶薄膜层，形成于基板上的外延垒晶薄膜层；

像素：由外延垒晶薄膜层上形成的大量像素点，其中各像素包括第一子像素、第二子像素、第三子像素，第一、第三子像素对应micro ULED，由micro ULED点亮，第二子像素对应OLED，由OLED直接点亮；

LED控制器：可选择地控制micro ULED的开启关闭；

电界面矩阵层：直接与每个OLED电性连接；

在外延垒晶薄膜层表面进一步包括ULED界面，每个ULED界面包含一个底面和侧面，由ULED界面底面形成的第一电接口与LED控制器电性连接，由ULED界面底面形成的第二电接口与基准电压电性连接；其中，ULED与ULED之间表面贴装，每个贴装在一起的ULED包括：一个顶面，与对应的ULED界面的底面叠合；一个底面；一个形成于ULED顶面的第一电插头与对应的ULED界面的第一电接口连接；一个形成于ULED顶面的第二电插头与对应的ULED界面的第二电接口连接，其中每个表面贴装的ULED的第一电接口设置成以第一直径为直径的圆形；每个表面贴装的ULED第二电接口形成的圆形在第一电接口形成的圆形外围；

混合LED发光体中包括多个OLED界面，每个OLED界面包括底面、侧壁、及第一电极，第一电极形成于OLED界面的底面，并与LED控制器电性连接，OLED界面的第一电极及第二电极电性连接于电界面矩阵层。

2.根据权利要求1所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中在外延垒晶薄膜层表面进一步包括大量凹陷状界面，界面凹陷处用于放置LED，以LED作为凹陷状界面的填充物。

3.根据权利要求1所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中各像素中：第一子像素对应的micro ULED发射蓝色光；第二子像素对应OLED发射红色光；第三子像素对应的micro ULED发射绿色光，每个像素对应三种光色。

4.根据权利要求1-2任一项所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其特征在于，其中像素中第一子像素与第三子像素对应的micro ULED及用于作为外延垒晶薄膜层表面的凹陷状界面的填充物的LED其外延层选自氮化镓系化合物。

5.根据权利要求4所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中像素中各个子像素对应的micro ULED及用于作为外延垒晶薄膜层表面的凹陷状界面的填充物的LED的外延层依次包括氮化镓系：u-GaN层、n型层、发光层、电子阻挡层、P型层。

6.根据权利要求5所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中所述电子阻挡层掺杂有Al，包含若干个生长周期，每个周期包括一个第一生长阶段和一个第二生长阶段。

7.根据权利要求6所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中所述第一生长阶段镓前驱源的流量对应为镓前驱源第一流量，第二生长阶段镓前驱源的流量对应为镓前驱源第二流量，第一生长阶段中镓前驱源第一流量>第二生长阶段中镓前驱源第二流量。

8.根据权利要求7所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中所述电子阻挡层制备过程中一个生长周期内第一生长阶段的生长速率大于等于6μm/h，第二生长阶段的生长速率小于等于2μm/h，第一生长阶段的生长时间≥1.5倍第二生长阶段的生长时间。

9.根据权利要求8所述的用于显示器的混合LED发光体，其特征在于，其中所述电子阻挡层制备过程中一个生长周期内第一生长阶段的生长温度大于第二生长阶段的生长温度，第一生长阶段的生长温度—第二生长阶段的生长温度≥50℃。