[发明专利]一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片

权利要求书

1.一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片，包括InP(1)衬底、InP接触层(2)、InGaAs吸收层(3)、SiO₂介质层(4)和石墨烯层(6)，其特征在于：

所述探测器芯片的结构为：在InP衬底(1)上依次是InP接触层(2)、InGaAs吸收层(3)、SiO₂介质层(4)，SiO₂介质层(4)中央有一方孔，在SiO₂介质层(4)上为石墨烯层(6)，石墨烯层填充在SiO₂介质层(4)的中央方孔之中，并与下层InGaAs吸收层(3)形成异质结接触，源极金属电极(5)和漏极金属电极(7)在石墨烯层(6)上，位于所述方孔的左右或者上下两侧位置，栅极金属电极(8)位于InP接触层(2)上；

所述的SiO₂介质层(4)的厚度为90nm～300nm；

所述的石墨烯层(6)的原子层数为1～5层；

所述的源极金属电极(5)、漏极金属电极(7)为Ti、Pt和Au金属电极；

所述的栅极金属电极(8)为Cr和Au金属电极；

所述的InP接触层(2)和InGaAs吸收层(3)通过外延技术生长在InP衬底之上，然后在InGaAs层(3)上淀积一层厚度为90～300nm的SiO₂介质层(4)，通过光刻和刻蚀工艺在SiO₂介质层(4)上开方孔，将原子层数为1～5层的石墨烯层(6)转移在方孔之上并覆盖方孔，最后在方孔左右或者上下两侧的石墨烯层(6)上蒸镀淀积源极金属电极(5)、漏极金属电极(7)，在被刻蚀开的InP接触层(2)上淀积栅极金属电极(8)。