[发明专利]一种纳米晶纯铜药型罩挤压成形晶粒长大抑制方法

权利要求书

1.一种纳米晶纯铜药型罩制备方法，其特征在于：将纳米晶纯铜坯料进行连续5次挤压；所述挤压中第一次挤压速率为10～15cm/min，变形程度15%～35%；第二次挤压，挤压速率为8～12cm/min，变形程度10%～30%；第三次挤压速率为6～10cm/min，变形程度5%～20%；第四次挤压速率为3～6cm/min，变形程度3%～10%；第五次挤压速率为1～3cm/min，变形程度1%～3%。

2.如权利要求1所述的纳米晶纯铜药型罩制备方法，挤压前对模具进行液氮冷却1～3小时，液氮压力0.4～1.2MPa。

3.如权利要求1或2所述的纳米晶纯铜药型罩制备方法，第五次挤压后对坯件进行液氮冷却反淬火处理，冷却时间2～4小时。

4.如权利要求3所述的纳米晶纯铜药型罩制备方法，第五次挤压并冷却后进行精整形，变形程度0.5%～2%。

5.如权利要求1所述的纳米晶纯铜药型罩制备方法，按照以下步骤进行：

（1）采用药型罩挤压成形装置，根据药型罩产品尺寸与体积，以及纳米晶纯铜坯料变形极限达到75%，确定挤压前的纳米晶纯铜坯料尺寸φ40～φ60mm，进行备料；

（2）液氮冷却药型罩挤压成形装置1～3小时，液氮压力0.4～1.2MPa；

（3）在纳米晶纯铜坯料、挤压成形装置表面涂抹润滑剂，将纳米晶纯铜坯料放入挤压成形装置进行一次挤压，挤压速率为10～15cm/min，变形程度15%～30%；

（4）对一次挤压坯件、挤压成形装置表面进行清理，重新涂抹润滑剂，进行二次挤压，挤压速率为8～12cm/min，变形程度10%～20%；

（5）对二次挤压坯件、挤压成形装置表面进行清理，重新涂抹润滑剂，进行三次挤压，挤压速率为6～10cm/min，变形程度5%～10%；

（6）对三次挤压坯件、挤压成形装置表面进行清理，重新涂抹润滑剂，进行四次挤压，挤压速率为3～6cm/min，变形程度3%～5%；

（7）对四次挤压坯件、挤压成形装置表面进行清理，重新涂抹润滑剂，进行五次挤压，挤压速率为1～3cm/min，变形程度1%～3%；

（8）对五次挤压坯件进行表面清理与除油，放入密封保温装置中进行液氮冷却反淬火处理，释放、均化应力分布，冷却时间2～4小时；

（9）对挤压成形装置表面进行除油处理，再将步骤（8）中坯件放入进行精整形，变形程度0.5%～2%。