[发明专利]一种汞离子微波频标真空制备方法

说明书

本申请公开了一种汞离子微波频标真空制备方法，包括：将所述汞离子微波频标的真空系统封装；对所述封装真空系统检漏和补漏，直至不漏；对检漏后的真空系统利用分子泵组真空预抽；对所述预抽真空系统表面加热至200℃烘烤，同时，通过220V交流电对离子泵烘烤，二者持续烘烤一周；打开离子泵，对持续烘烤的所述预抽真空系统抽真空24±2小时；对所述高真空系统内的真空规和质谱仪除气；对钛升华泵除气，停止烘烤；每隔30分钟对钛升华泵接通48A直流电5分钟，反复操作3次，关闭钛升华泵；利用离子泵继续抽取真空24±2小时，得到超高真空系统。本发明可制备真空度为2E‑9Pa量级的超高真空系统，比现有系统提高一个数量级。

技术领域

本申请涉及真空制备技术领域，尤其涉及一种汞离子微波频标真空制备方法。

背景技术

汞离子微波频标是一种新型频标，采用了不同于氢、铷、铯等传统原子频标的全新工作原理。其具有基本不受实物粒子和外场的扰动，运动效应小和量子态相干时间长等内在特点，谱线宽度极窄，各种频移很小。其中一个主要的原因是通过在离子阱施加静电场、磁场或者射频场，将工作离子囚禁于超高真空的离子阱中心，使离子完全孤立，处于“完全静止状态”，不受到外界的干扰，因此可大大提高汞离子微波频标的性能指标。

由于汞离子微波频标的系统特性，信噪比低，因此需要其真空装置的真空度越高越好，这样其它气体分子与工作物质的碰撞影响就更小，可以大大提高离子囚禁和离子作用的稳定性，而要想进一步提高汞离子微波频标的指标，则需要新的真空制备方法，利用当前的真空系统制备方法，其真空度最高到2×10^-8Pa量级，已满足不了进一步提高汞离子微波频标指标的需求。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种汞离子微波频标真空制备方法，解决现有汞离子微波频标真空系统真空度难以提高的问题。

本申请实施例提供一种汞离子微波频标真空制备方法，包括以下步骤：对真空系统利用分子泵组真空预抽，得到真空度为10^-4Pa量级的预抽真空系统；对所述预抽真空系统表面加热至200℃烘烤，同时，通过220V交流电对离子泵烘烤，二者持续烘烤一周；打开离子泵，对持续烘烤的所述预抽真空系统抽真空24±2小时，得到高真空系统；对所述高真空系统内的真空规和质谱仪除气；将烘烤温度降至130±10℃，对钛升华泵除气，然后停止烘烤；关闭分子泵组阀门，每隔30分钟对钛升华泵接通48A直流电5分钟，反复操作3次，关闭钛升华泵；利用离子泵继续抽取真空24±2小时，得到超高真空系统。

本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：得到真空度为2×10^-9量级的汞离子微波频标超高真空系统，比现有系统提高一个数量级；很好解决了真空度难以提升的问题，进一步优化了汞离子微波频标指标。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请实施例提供的一种汞离子微波频标真空制备方法流程示意图。

图2为本申请实施例提供的第二种汞离子微波频标真空制备方法流程示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

以下结合附图，详细说明本申请各实施例提供的技术方案。

图1为本申请实施例提供的一种汞离子微波频标真空制备方法流程示意图。所述方法包括以下步骤：