[发明专利]一种防止银迁移的方法、阵列电极和显示面板有效
申请号: | 201711261424.3 | 申请日: | 2017-12-04 |
公开(公告)号: | CN109872999B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 蓝平;黄成沛;周兴雨;韦必明 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 201506 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 迁移 方法 阵列 电极 显示 面板 | ||
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种防止银迁移的方法、阵列电极和显示面板,用以实现改善银迁移导致的显示屏失效问题。本发明实施例中在第一电极的第一区域铺设第一绝缘层,第一绝缘层和第一电极的厚度之和大于第二电极的厚度;第二电极与第一电极相邻且间隔设置在基板上;在第一电极的第二区域、以及第一绝缘层上铺设银层;银层和第二电极在外接信号时相互之间存在电场。如此,相较于现有技术中的第一电极上的银层,本发明实施例中可以增加银层离第一电极的高度,进而增加银层和第二电极之间的最近距离,在银层和第二电极之间存在电场时,可以降低该最近距离方向的电场强度,进而可以改善银迁移导致的显示屏失效问题。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种防止银迁移的方法、阵列电极和显示面板。
背景技术
在LCD或OLED产品中,外部线路绑定(Outer Lead Bonding,简称OLB)区阵列电极(Array Pad)会采用Ag作为接触垫(Pad Contact)基础,并且基于窄边框需求,Array Pad间距离在将来的显示产品中会制作的越来越小。
现有技术中,如图1所示的OLB区包括表面含有Ag层的电极101、电极102、电极103、电极104,由于显示屏中的每两个阵列测试电极之间距离非常小,在电场、水的作用下,银容易解离产生银离子并出现从高电位向低电位迁移的现象,并在电极101边缘形成絮状或枝蔓状扩展至相邻电极,比如图1中将电极101和电极104之间的相连的连接线105。这种银迁移现象容易导致相邻的Array Pad间短路造成显示不良,而此类显示不良往往在Array和OLED蒸镀封装制作过程中不易被侦测,在后续制程或客户端点灯使用时间较长时才会发现,属于信赖性风险问题点。
因此,亟需一种防止银迁移的方法,用以实现改善银迁移导致的显示屏失效问题。
发明内容
本发明实施例提供一种防止银迁移的方法和阵列电极、阵列电极和显示面板,用以实现改善银迁移导致的显示屏失效问题。
本发明实施例提供一种防止银迁移的方法,包括:在第一电极的第一区域铺设第一绝缘层,所述第一绝缘层和所述第一电极的厚度之和大于第二电极的厚度;所述第二电极与所述第一电极相邻且间隔设置在基板上;在所述第一电极的第二区域、以及所述第一绝缘层上铺设银层;所述银层和所述第二电极在外接信号时相互之间存在电场。
可选的,所述在第一电极的第一区域铺设第一绝缘层之前,还包括:在所述第一电极与所述第二电极的间隔区域铺设第二绝缘层;所述在所述第一电极的第一区域铺设第一绝缘层,包括:在所述第一电极的第一区域以及所述第二绝缘层上铺设满足预设条件的第一绝缘层;所述预设条件包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的最大厚度大于所述第二电极的厚度。
可选的,在所述第一电极与所述第二电极的间隔区域铺设第二绝缘层,包括:在所述间隔区域铺设所述第二绝缘层至与所述第一电极的厚度相同。
可选的,所述预设条件包括所述银层与所述第二电极之间最近距离所在方向与水平方向的夹角大于等于7.6°。
可选的,分别为所述银层和所述第二电极外接信号,所述银层和所述第二电极的最大电势差小于等于25.0V。
本发明实施例提供一种阵列电极,包括:位于基板上的第一电极;位于所述第一电极的第一区域铺设的第一绝缘层;位于所述第一电极的第二区域和所述第一绝缘层上铺设的银层。
本发明实施例提供一种显示面板,包括:上述任一实施例所述的阵列电极,以及第二电极;所述阵列电极和所述第二电极位于所述显示面板的外围区域;所述第一电极与位于所述基板上的第二电极相邻且间隔设置;所述银层与所述第二电极在外接信号时相互之间存在电场;所述第一区域为所述第一电极表面靠近所述第二电极的区域。
可选的,所述第一电极和所述第二电极之间的间隔区域铺设有第二绝缘层;所述第一绝缘层还覆盖所述第二绝缘层和所述第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的