[发明专利]一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置在审

申请号：	201711261139.1	申请日：	2017-12-04
公开（公告）号：	CN109872998A	公开（公告）日：	2019-06-11
发明（设计）人：	白妮妮;康峰;刘亮亮	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L27/32
代理公司：	北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291	代理人：	郭润湘
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	开关晶体管驱动晶体管栅极氧化层显示面板阵列基板亚阈值摆幅显示装置灰阶制备开关性能有效控制保证
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【说明书】：

本发明公开了一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置，其中在阵列基板中，驱动晶体管的栅极氧化层的厚度，大于开关晶体管的栅极氧化层的厚度，根据I＝K(Vgs‑Vth)²，以及。驱动晶体管的栅极氧化层的厚度大于开关晶体管的栅极氧化层的厚度，相当于驱动晶体管的K小于开关晶体管的K，从而使驱动晶体管的电流随电压的变化较小，即亚阈值摆幅要求较大，以便更好的控制灰阶；而开关晶体管的电流随电压的变化较大，即亚阈值摆幅要求较小，以保证开关性能。同时实现显示面板中灰阶和开关的有效控制。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器件因具有对比度高、响应超度快，色彩鲜艳、易于薄形化和柔性化等优势，现已逐渐占据智能手机、智能穿戴，电视等应用市场。但OLED显示器件均为电流驱动型器件，当电流随电压变化太剧烈时，显示灰阶不易控制，甚至因电流不均导致不同类型的Mura出现，严重影响显示效果。

在OLED显示器件中，用于驱动OLED发光的像素电路中包含驱动晶体管和开关晶体管。驱动晶体管要求电流随电压的变化较小，即亚阈值摆幅要求较大，以便更好的控制灰阶；而开关晶体管要求电流随电压的变化较大，即亚阈值摆幅要求较小，以保证开关性能。目前的显示产品中二者均采用相同的设计，即驱动晶体管和开关晶体管的亚阈值摆幅相同，无法同时实现灰阶和开关的有效控制。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置，用以同时实现灰阶和开关的有效控制。

本发明实施例提供的一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的驱动晶体管和开关晶体管；

所述驱动晶体管的栅极氧化层的厚度，大于所述开关晶体管的栅极氧化层的厚度。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述驱动晶体管的有源层与所述开关晶体管的有源层设置为同层同材质。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述驱动晶体管的栅极氧化层与所述开关晶体管的栅极氧化层为同一膜层。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述驱动晶体管的栅极与所述开关晶体管的栅极设置为同层同材质；

所述驱动晶体管与所述开关晶体管均为顶栅型结构或底栅型结构。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述驱动晶体管的栅极氧化层与所述开关晶体管的栅极氧化层为不同的膜层；

所述驱动晶体管为顶栅型结构，所述开关晶体管为底栅型结构；或者所述驱动晶体管为底栅型结构，所述开关晶体管为顶栅型结构。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述驱动晶体管的源漏电极与所述开关晶体管的源漏电极设置为同层同材质。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述开关晶体管的栅极氧化层的厚度大于所述驱动晶体管的栅极氧化层的厚度的1/2。