[发明专利]一种镁合金表面蓝色自封孔陶瓷层及制备方法在审
| 申请号： | 201711260689.1 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN108085729A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 周曰政;杨魏;柳卫兵;望运洲 | 申请（专利权）人： | 湖北宏箭轻合金材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D11/30 | 分类号： | C25D11/30 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443100 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷层 微弧氧化陶瓷层 镁合金表面 自封 制备 着色剂 微弧氧化电解液 掺杂金属元素 金属元素掺杂 掺杂氧化镁 光学设备 金属元素 力学性能 产业化 电参量 光干涉 耐蚀性 调控 军工 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种镁合金表面蓝色自封孔陶瓷层，其特征是：所述陶瓷层由Ti掺杂氧化镁组成，厚度为5～30 µm，Ti含量为0-10 at.%；
利用微弧氧化技术将硅酸盐电解液的Ti元素掺杂在镁合金表面所形成的陶瓷层中；
所述硅酸盐电解液中添加K2TiF6。
2.根据权利要求1所述的镁合金表面蓝色自封孔陶瓷层，其特征是：所述硅酸盐电解液中K2TiF6的浓度为0-30 g/L。
3.一种镁合金表面蓝色自封孔陶瓷层制备方法，其特征是：所述方法包以下步骤：
步骤1：配制硅酸盐电解液，其中K2TiF6的浓度为0-30 g/L；
步骤2：微弧氧化处理过程中采用直流单脉冲为微弧氧化电源，通过调整单脉冲输出能量及氧化时间，使镁合金表面形成厚度为5～30 µm，掺杂Ti含量为0-10 at.%的陶瓷层。
4.根据权利要求3所述的一种镁合金表面蓝色自封孔陶瓷层制备方法，其特征是：所述直流单脉冲输出电压为280～450 V，频率为400 Hz，占空比为7%-8.6%，氧化时间为5～40min。
5.根据权利要求3所述的一种镁合金表面蓝色自封孔陶瓷层制备方法，其特征是：所述方法还包括前期处理步骤；
所述前期处理步骤包括对线切割的镁合金试样经除油除脂工艺后，用不同水砂纸磨制，再经抛光后水洗以备微弧氧化处理。
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