[发明专利]一种微LED发光显示阵列像素单元构造及其制作方法

权利要求书

1.一种微LED发光显示阵列像素单元构造，包括显示像素单元本体，其特征在于：所述显示像素单元本体由衬底生长的外延片上集成制造的发光二极管、发光驱动电路和用于与外部连接的引线组成。

2.根据权利要求1所述微LED发光显示阵列像素单元构造，其特征在于：所述发光驱动电路由薄膜晶体管、电容、电阻中的至少一种构成。

3.根据权利要求2所述微LED发光显示阵列像素单元构造，其特征在于：所述薄膜晶体管的结构为顶栅结构或底栅结构，所述电容为平板电容。

4.根据权利要求1所述微LED发光显示阵列像素单元构造，其特征在于：所述引线包括电源线、信号线和数据线。

5.一种用于制作微LED发光显示阵列像素单元构造的方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一、在衬底上依次向上生长用于形成外延片的N型半导体层、有源区层和P型半导体层；

步骤二、利用光刻和刻蚀工艺，刻蚀去除部分区域的P型半导体层和有源区层，露出N型半导体层，完成发光二极管的发光区位置及尺寸的定义；

步骤三、在定义了发光二极管的一侧沉积一层绝缘钝化薄膜，并利用光刻和刻蚀工艺对绝缘钝化薄膜开孔，在开孔处露出P型半导体层和N型半导体层；

步骤四、在绝缘钝化薄膜上沉积薄膜晶体管的有源层薄膜，并利用光刻和刻蚀工艺或剥离工艺定义薄膜晶体管有源区的位置及尺寸大小；

步骤五、在定义了薄膜晶体管有源区的一侧沉积导电性能良好的薄膜，用于制备薄膜晶体管源电极、薄膜晶体管漏电极、平板电容负电极、发光二极管P电极以及薄膜晶体管与发光二极管的连接层；

步骤六、在沉积了导电性能良好的薄膜的一侧沉积一层绝缘性良好且介电常数大的介质薄膜，用于作为薄膜晶体管栅介质层及平板电容介质层，并利用光刻和刻蚀工艺对介质薄膜开孔，在开孔处露出平板电容负电极、薄膜晶体管源电极及N型半导体层；

步骤七、在沉积了介质薄膜的一侧沉积导电薄膜，用于作为薄膜晶体管栅电极、信号线和发光二极管N电极；

步骤八、在沉积了导电薄膜的一侧沉积一层绝缘性良好的绝缘钝化层，并利用光刻和刻蚀工艺对绝缘钝化层开孔，在开孔处露出薄膜晶体管源电极，且绝缘钝化层上的开孔用于作为电源线和数据线与薄膜晶体管源电极连接的连接通孔；

步骤九、在绝缘钝化层的开孔处沉积导电薄膜，用于制作平板电容正电极、电源线和数据线，完成微LED发光显示阵列像素单元构造的制备。

6.一种用于制作微LED发光显示阵列像素单元构造的方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一、在衬底上依次向上生长用于形成外延片的N型半导体层、有源区层和P型半导体层；

步骤二、利用光刻和刻蚀工艺，刻蚀去除部分区域的P型半导体层和有源区层，露出N型半导体层，完成发光二极管的发光区位置及尺寸的定义；

步骤三、在定义了发光二极管的一侧沉积一层绝缘钝化薄膜，并利用光刻和刻蚀工艺对绝缘钝化薄膜开孔，在开孔处露出P型半导体层和N型半导体层；

步骤四、在沉积了绝缘钝化薄膜的一侧沉积导电性能良好的薄膜，用于制备薄膜晶体管栅电极、发光二极管N电极、平板电容负电极和信号线；

步骤五、在沉积了导电性能良好的薄膜的一侧沉积一层绝缘性良好且介电常数大的介质薄膜，用于作为薄膜晶体管栅介质层及平板电容介质层，并利用光刻和刻蚀工艺对介质薄膜开孔，在开孔处露出P型半导体层及平板电容负电极；

步骤六、在沉积了介质薄膜的一侧沉积薄膜晶体管的有源层薄膜，并利用光刻和刻蚀工艺或剥离工艺定义薄膜晶体管有源区的位置及尺寸大小；

步骤七、在定义了薄膜晶体管有源区的一侧沉积导电良好的薄膜，用于制备薄膜晶体管源电极和薄膜晶体管漏电极；

步骤八、在沉积了导电良好的薄膜的一侧沉积一层绝缘性良好的绝缘钝化层，并利用光刻和刻蚀工艺对绝缘钝化层开孔，在开孔处露出薄膜晶体管源电极，且绝缘钝化层上的开孔用于作为电源线和数据线与薄膜晶体管源电极连接的连接通孔；

步骤九、在绝缘钝化层的开孔处沉积导电薄膜，用于制作平板电容正电极、电源线和数据线，完成微LED发光显示阵列像素单元构造的制备。